具有低RDS(on) 值和低电容的NTMFSC006N12MC、NTMFS5C430NT1G功率MOSFET

1、NTMFSC006N12MC N-Channel Dual CoolTM 56 PowerTrench® MOSFET 120 V, 92 A, 6.0mΩ

NTMFSC006N12MC 双路Cool™ N通道功率MOSFET采用Power Trench® 工艺和双面冷却封装。该功率MOSFET具有超低RDS (ON) 、120V漏极-源极电压、±20V栅极-源极电压以及150°C最高工作结温/存放温度。典型应用包括交流-直流商用电源、一次侧直流-直流FET、同步整流器和直流-直流转换。

技术：MOSFET（金属氧化物）

配置：2 个 N 沟道

FET 功能：-

漏源电压（Vdss）：120V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：14A (Ta), 92A (Tc)

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：-

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：39nC @ 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：3040pF @ 60V

功率 - 最大值：2.7W（Ta），104W（Tc）

工作温度：150°C（TJ）

等级：-

资质：-

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：8-PowerVDFN

供应商器件封装：8-DFN（5x6.15）

2、NTMFS5C430NT1G 单 N 通道 功率 MOSFET 40V, 185A, 1.7mΩ

NTMFS5C430NT1G N沟道MOSFET是40V、185A 功率MOSFET，具有低RDS(on) 值和低电容，可最大限度地降低导通和驱动器损耗。该MOSFET具有5mmx6mm 5-DFN的小尺寸，设计紧凑。典型应用范围包括负载点模块、高性能DC-DC转换器、辅助同步。整改和直流电机驱动。

FET 类型：N 通道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：40 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：35A（Ta），185A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：1.7 毫欧 @ 50A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：47 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：3300 pF @ 25 V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：3.8W（Ta），106W（Tc）

工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

供应商器件封装：5-DFN（5x6）（8-SOFL）

封装/外壳：8-PowerTDFN，5 引线

基本产品编号：NTMFS5

明佳达电子（供应、回收）具有低RDS(on) 值和低电容的NTMFSC006N12MC、NTMFS5C430NT1G功率MOSFET。