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30V、单 N 沟道NTMFS4C908NAT3G、NTMFS4C910NAT3G功率 MOSFET

时间:2024-01-23 18:00:59浏览次数:27  
标签:MOSFET 损耗 沟道 30V 功率 驱动器 NTMFS4C910NAT3G

NTMFS4C908N、NTMFS4C910N N沟道MOSFET是30V、单N沟道功率MOSFET,具有低RDS(on) 值和低电容,可最大限度地降低导通和驱动器损耗。这些MOSFET采用8-SOFL封装尺寸,设计紧凑。MOSFET符合AEC-Q101标准并具有PPAP功能 典型应用包括电池保护、电机控制、电源开关、开关电源、负载开关和电磁阀驱动器。

30V、单 N 沟道NTMFS4C908NAT3G、NTMFS4C910NAT3G功率 MOSFET_开关电源

应用

CPU功率输出

直流-直流转换器


特点

低RDS(ON),最大程度降低传导损耗

低电容,最大限度降低驱动器损耗

优化栅极电荷,最大限度降低开关损耗

符合RoHS规范

(供应)单 N 沟道,30V、NTMFS4C908NAT3G、NTMFS4C910NAT3G功率 MOSFET,如有兴趣,请联系明佳达陈先生qq 1668527835 咨询。

标签:MOSFET,损耗,沟道,30V,功率,驱动器,NTMFS4C910NAT3G
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