SICMOS与IGBT短路保护有所不同的原因：由于SICMOS芯片尺寸较小(散热能力较差，在短路情况下，浪涌电流会产生大量的热量)，SICMOS的浪涌能力低于IGBT。SiCMOSFET和IGBT的输出特性不同，在正常导通状态期间，IGBT通常在饱和区域中工作。发生短路时，集电极电流IC增加，并从饱和区域

通常的算法是将SiCMOSFET的栅极可以粗略地模拟为电容负载。但由于米勒电容和其他的非线性，因而把其电容负载的值等效于5倍输入SICMOS的Ciss，因而驱动的功耗近似为：PDISS​=CEST​×(VDD2​−VSS2​)2×fS​其中：CEST​ 是估算的电容值，等于SiCMOSFET的输入电容 CISS​ 乘以5

1、NXH010P120M3F1PTG是一款功率模块，在F1封装中包含10mohm/1200VSiCMOSFET半桥和一个氧化铝(AL2O3)DBC热敏电阻。SiCMOSFET开关采用M3S技术，由18V-20V栅极驱动。规格：配置：Half-Bridge下降时间：15ns高度：12.35mmId-连续漏极电流：105A长度：63.3mm最大工作温度：+150°C

    2024年3月22日，ISO推出11898-2：2024版本，标志着CAN总线收发器的最高速率由CANFD行业认可的8Mbit/s提速到最高20Mbit/s（2024年5月24日ISO11898-12024已发表）。20Mbit/s的传输带宽不仅填补了CAN与Ethernet之间速率差距，2048Byte的payload和实时性的保留也给CAN网络本身带来

B2B2CShop介绍SiCB2B2CShop 是一个B2B2C平台型电商系统，专注于通用电商解决方案。可帮助企业搭建自己的交易平台。交易模式：零售、批发、采购。SiCShop是一个B2B2C平台型电商系统，专注于通用电商解决方案，可帮助企业搭建自己的交易平台。可访问PC端演示站点，了解功能。可安装

内容来自up主三圈，芯片界我最喜欢的up之一。在此目的是自己做个记录，怕忘记了。部分内容来自：https://zhuanlan.zhihu.com/p/356954927摩尔定律是英特尔创始人之一戈登·摩尔的经验之谈，其核心内容为：集成电路上可以容纳的晶体管数目在大约每经过18个月到24个月便会增加一倍。换言之，

全新QSiC1200VSOT-227SiC模块，提升能源标准，这些超高效模块支持电动汽车、医疗电源和太阳能大功率应用的创新设计。特点低开关损耗低结至外壳热阻非常坚固，易于安装直接安装到散热器上（隔离封装）超低损耗的高频操作SiCSBDs的零反向恢复电流SiCMOSFETs的小关断尾电流低杂散电感

随着新能源市场的爆发，电动汽车，光伏、储能等下游应用驱动下，碳化硅功率器件迎来了新一轮增长期。特别是电动汽车上SiCMOSFET的大规模应用后，在近几年可以看到，国内外各大厂商都密集地加入到SiC的行列中，推出相关产品。国内规模比较大的有华润微、派恩杰、杨杰科技等都有SiCMOSFET产品，

 1.双脉冲测试原理    很多博主已经发布了大量有关双脉冲测试的意义、双脉冲测试原理等，顾在此不在赘诉，如有需要的小伙伴可以点这里。以下重点介绍在LTspice中双脉冲电路的搭建及可能遇到的问题。2.搭建双脉冲测试               

https://view.inews.qq.com/k/20220217A01CMH00IGBT和SiC电源开关基础知识IGBT和SiC电源开关有哪些市场和应用？高效的电源转换在很大程度上由系统使用的功率半导体器件确定。由于功率器件技术不断改进，大功率应用的效率越来越高并且尺寸越来越小。包括IGBT和SiCMOS

BM2SCQ124T-LBZ@ROHM内置1700VSiC-MOSFET的准谐振AC/DC转换器BM2SCQ124T-LBZ是一款准谐振AC/DC转换器，为所有带插座的设备提供很好的电源系统。采用准谐振工作方式，实现软开关，有助于降低EMI。内置1700V/4ASiCMOSFET，有助于设计简化。通过外部连接电流检测电阻，可以实现高度灵活

NXH240B120H3Q1是一款3沟道1200VIGBT+SiC升压模块。每个沟道由一个快速开关80AIGBT、一个20ASiC二极管、一个旁通二极管和一个IGBT保护二极管组成。该模块具有内置的热敏电阻和压接引脚。IGBT模块：NXH240B120H3Q1SG、NXH240B120H3Q1PG（明佳达电子供求库存）产品描述

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8月11日报导显示，碳化硅（SiC）半导体领域竞争升级，英飞凌（Infineon）宣布将在马来西亚兴建全球最大的8英寸SiC晶圆厂，为长期合约订单背书，此举颇有跟不久前才宣布在重庆建8英寸晶圆的SiC龙头意法互别苗头的意味。近年来，随着8英寸SiC晶圆的成本竞争力逐渐凸显，多家SiC制造商相继增加8英寸晶圆产

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实验环境如下：图-1图-2图-3使用IVCR1401芯片驱动SiCMOSFET，使用n122U31做电气隔离。VCC经过调压器整流过后为100V直流电压。在100kHZ的频率下

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