通常的算法是将SiC MOSFET的栅极可以粗略地模拟为电容负载。但由于米勒电容和其他的非线性，因而把其电容负载的值等效于5倍输入SIC MOS的Ciss，因而驱动的功耗近似为：PDISS=CEST×(VDD2−VSS2)2×fS
其中：
- CEST 是估算的电容值，等于SiC MOSFET的输入电容 CISS 乘以5（作为一个保守估计）。
- VDD2 是次级侧输入电源电压。
- VSS2 是次级侧的负电源电压。
- fS是SiC MOSFET的开关频率。
本设计中输入电容接近3.5nF，VDD2为15V,VSS2为-3.5V, fS为50KHZ,算的结果PDISS为0.3W.
ADuM4146芯片内部的功耗计算方法：
其中：
- 4146PDISSADuM4146 是ADuM4146芯片内部的功耗。
- RDSONP 和 RDSONN 分别是PMOS和NMOS的导通电阻。
- RGON 和RGOFF 是外部的上拉和下拉电阻。本设计取10欧姆
- 查阅手册知RDSONP的阻值范围是：
- 典型值 (Typ): 471mΩ
- 最大值 (Max): 975 mΩ
测试条件是在250 mA的条件下进行的。这意味着在正常工作条件下，PMOS的导通电阻（RDSONP）将介于471 mΩ到975 mΩ之间。
RDSONN（NMOS的导通电阻）的阻值范围是
- 典型值 (Typ): 470 mΩ
- 最大值 (Max): 807 mΩ
这些值是在特定的测试条件下测量的，例如在250 mA的测试条件下。因此，RDSONN的阻值范围是介于470 mΩ到807 mΩ之间。
因为计算得7.7Mw
芯片的结温升高量可以通过以下公式计算：
其中
- TADuM4146 是ADuM4146的结温。
- θJA 是从结到环境的热阻。59.35°C/W
- TAMB 是环境温度
计算得结温TADuM4146为0.462加上室温25,为25.462.
标签：ADUM4146BRWZ,RDSONN,电容,功耗,阻值,SIC,RL,ADuM4146,RDSONP From： https://blog.csdn.net/m0_59329334/article/details/140798775