1、NXH010P120M3F1PTG是一款功率模块,在F1封装中包含10 mohm / 1200 V SiC MOSFET半桥和一个氧化铝(AL2O3) DBC热敏电阻。SiC MOSFET开关采用M3S技术,由18V-20V栅极驱动。
规格:
配置:Half-Bridge
下降时间:15 ns
高度:12.35 mm
Id-连续漏极电流:105 A
长度:63.3 mm
最大工作温度:+ 150°C
最小工作温度:- 40°C
安装风格:Chassis
通道数量:2 Channel
封装 / 箱体:PIM-18
封装:Tray
Pd-功率耗散:272 W
产品:SiC MOSFET Modules
产品类型:MOSFET Modules
Rds On-漏源导通电阻:14.5 mOhms
上升时间:15 ns
系列:NXH010P120M3F1PTG
工厂包装数量:28
子类别:Discrete and Power Modules
技术:SiC
晶体管极性:N-Channel
类型:Power Module
典型关闭延迟时间:98 ns
典型接通延迟时间:23 ns
Vds-漏源极击穿电压:1.2 kV
Vgs - 栅极-源极电压:- 10 V, + 22 V
Vgs th-栅源极阈值电压:4.4 V
宽度:34.1 mm
2、NVXK2PR80WXT2是一款1200V 80mΩ 31A全桥电源模块,带温度传感和最低热阻,适用于DC-DC和xEV车载充电器。
规格
配置:Full-Bridge
下降时间:9 ns
高度:5.8 mm
Id-连续漏极电流:31 A
长度:44.2 mm
最大工作温度:+ 175°C
最小工作温度:- 55°C
安装风格:Through Hole
通道数量:4 Channel
封装 / 箱体:APM-32
封装:Tube
Pd-功率耗散:208 W
产品:SiC Power Modules
产品类型:MOSFET Modules
Rds On-漏源导通电阻:116 mOhms
上升时间:12 ns
系列:NVXK2PR80WXT2
工厂包装数量:60
子类别:Discrete and Power Modules
技术:SiC
晶体管极性:N-Channel
类型:Power Module
典型关闭延迟时间:21 ns
典型接通延迟时间:12 ns
Vds-漏源极击穿电压:1.2 kV
Vgs - 栅极-源极电压:- 15 V, + 25 V
Vgs th-栅源极阈值电压:4.3 V
宽度:29 mm
3、NVXK2VR80WDT2是一款1200V 80mΩ 20A 三相桥式电源模块,带PFC温度检测,适用于车载充电器。
规格:
配置:3-Phase Bridge
下降时间:9 ns
高度:5.8 mm
Id-连续漏极电流:20 A
长度:44.2 mm
最大工作温度:+ 175 C
最小工作温度:- 55 C
安装风格:Through Hole
通道数量:6 Channel
封装 / 箱体:APM-32
封装:Tube
Pd-功率耗散:82 W
产品:SiC Power Modules
产品类型:MOSFET Modules
Rds On-漏源导通电阻:116 mOhms
上升时间:12 ns
系列:NVXK2VR80WDT2
工厂包装数量:60
子类别:Discrete and Power Modules
技术:SiC
晶体管极性:N-Channel
类型:Power Module
典型关闭延迟时间:21 ns
典型接通延迟时间:12 ns
Vds-漏源极击穿电压:1.2 kV
Vgs - 栅极-源极电压:- 15 V, + 25 V
Vgs th-栅源极阈值电压:4.3 V
宽度:29 mm
1200 V 碳化硅的功率模块NXH010P120M3F1PTG NVXK2PR80WXT2 NVXK2VR80WDT2—— 明佳达
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