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新产品,基于1200 V 碳化硅的功率模块NXH010P120M3F1PTG NVXK2PR80WXT2 NVXK2VR80WDT2(产品规格)

时间:2024-07-20 18:19:44浏览次数:11  
标签:SiC Power mm Modules 1200 产品规格 延迟时间 NVXK2PR80WXT2 ns

1、NXH010P120M3F1PTG是一款功率模块,在F1封装中包含10 mohm / 1200 V SiC MOSFET半桥和一个氧化铝(AL2O3) DBC热敏电阻。SiC MOSFET开关采用M3S技术,由18V-20V栅极驱动。

规格:

配置:Half-Bridge

下降时间:15 ns

高度:12.35 mm

Id-连续漏极电流:105 A

长度:63.3 mm

最大工作温度:+ 150°C

最小工作温度:- 40°C

安装风格:Chassis

通道数量:2 Channel

封装 / 箱体:PIM-18

封装:Tray

Pd-功率耗散:272 W

产品:SiC MOSFET Modules

产品类型:MOSFET Modules

Rds On-漏源导通电阻:14.5 mOhms

上升时间:15 ns

系列:NXH010P120M3F1PTG

工厂包装数量:28

子类别:Discrete and Power Modules

技术:SiC

晶体管极性:N-Channel

类型:Power Module

典型关闭延迟时间:98 ns

典型接通延迟时间:23 ns

Vds-漏源极击穿电压:1.2 kV

Vgs - 栅极-源极电压:- 10 V, + 22 V

Vgs th-栅源极阈值电压:4.4 V

宽度:34.1 mm

 

2、NVXK2PR80WXT2是一款1200V 80mΩ 31A全桥电源模块,带温度传感和最低热阻,适用于DC-DC和xEV车载充电器。

规格

配置:Full-Bridge

下降时间:9 ns

高度:5.8 mm

Id-连续漏极电流:31 A

长度:44.2 mm

最大工作温度:+ 175°C

最小工作温度:- 55°C

安装风格:Through Hole

通道数量:4 Channel

封装 / 箱体:APM-32

封装:Tube

Pd-功率耗散:208 W

产品:SiC Power Modules

产品类型:MOSFET Modules

Rds On-漏源导通电阻:116 mOhms

上升时间:12 ns

系列:NVXK2PR80WXT2

工厂包装数量:60

子类别:Discrete and Power Modules

技术:SiC

晶体管极性:N-Channel

类型:Power Module

典型关闭延迟时间:21 ns

典型接通延迟时间:12 ns

Vds-漏源极击穿电压:1.2 kV

Vgs - 栅极-源极电压:- 15 V, + 25 V

Vgs th-栅源极阈值电压:4.3 V

宽度:29 mm

 

3、NVXK2VR80WDT2是一款1200V 80mΩ 20A 三相桥式电源模块,带PFC温度检测,适用于车载充电器。

规格:

配置:3-Phase Bridge

下降时间:9 ns

高度:5.8 mm

Id-连续漏极电流:20 A

长度:44.2 mm

最大工作温度:+ 175 C

最小工作温度:- 55 C

安装风格:Through Hole

通道数量:6 Channel

封装 / 箱体:APM-32

封装:Tube

Pd-功率耗散:82 W

产品:SiC Power Modules

产品类型:MOSFET Modules

Rds On-漏源导通电阻:116 mOhms

上升时间:12 ns

系列:NVXK2VR80WDT2

工厂包装数量:60

子类别:Discrete and Power Modules

技术:SiC

晶体管极性:N-Channel

类型:Power Module

典型关闭延迟时间:21 ns

典型接通延迟时间:12 ns

Vds-漏源极击穿电压:1.2 kV

Vgs - 栅极-源极电压:- 15 V, + 25 V

Vgs th-栅源极阈值电压:4.3 V

宽度:29 mm

 

1200 V 碳化硅的功率模块NXH010P120M3F1PTG NVXK2PR80WXT2 NVXK2VR80WDT2—— 明佳达

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标签:SiC,Power,mm,Modules,1200,产品规格,延迟时间,NVXK2PR80WXT2,ns
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