1、NXH010P120M3F1PTG是一款功率模块，在F1封装中包含10mohm/1200VSiCMOSFET半桥和一个氧化铝(AL2O3)DBC热敏电阻。SiCMOSFET开关采用M3S技术，由18V-20V栅极驱动。规格：配置：Half-Bridge下降时间：15ns高度：12.35mmId-连续漏极电流：105A长度：63.3mm最大工作温度：+150°C