8月11日报导显示，碳化硅（SiC）半导体领域竞争升级，英飞凌（Infineon）宣布将在马来西亚兴建全球最大的8英寸SiC晶圆厂，为长期合约订单背书，此举颇有跟不久前才宣布在重庆建8英寸晶圆的SiC龙头意法互别苗头的意味。
近年来，随着8英寸SiC晶圆的成本竞争力逐渐凸显，多家SiC制造商相继增加8英寸晶圆产能，英飞凌此举有如向SiC领域投下一颗深水炸弹，英飞凌与意法互的竞争愈演愈烈，其他集成电路制造商也纷纷踏入竞争阵营，这一局面可从几个角度审视。
首先，双方都将目光投向国内市场。年初，英飞凌与国内SiC晶圆厂天岳、天科合达签订了备受关注的合同，共同为国内SiC基板品质保驾护航。外资机构分析指出，英飞凌此前的基板供应方还包括WolfSpeed、安森美（On-Semi）、日本罗姆（Rohm）等，不过国内基板供应已占据其需求的约20%，今后几个季度有望大幅提升。
面对良率难以掌握的问题，「拥SiC基板、拥天下」成显学。英飞凌是极少数未自制SiC基板的IDM厂商之一，年初采取多样化布局被视为新的SiC晶圆工厂即将登场的信号，这是朝着2023年在SiC市场占据30%市场份额的目标迈进。
此外，根据东盟贸易协定的免税政策以及地理位置，该工厂有可能更多地支持国内和亚洲市场，不过这也意味着英飞凌在国内建厂的机会相对减少。与之形成对比的是，SiC的主要竞争对手意法与三安合作，在重庆建8英寸SiC晶圆厂，三安还将为其量身打造8英寸基板新厂。
其次，双方锁定不同的客户群。英飞凌的新工厂将依靠各客户的预付款和长期合同，其中包括来自汽车、再生能源、储能、工业等领域的客户。汽车领域的客户有福特、上汽、奇瑞，还有SolarEdge等大型太阳能逆变器制造商，以及国内三家太阳能和储能系统制造商。另外，全球能源管理和自动化巨头施耐德电机也已预定了SiC功率产品。
最后，双方在技术领域的竞争加剧。英飞凌强调，其新建的8英寸工厂将采用行业内领先的SiC沟槽式技术，这有助于市场区隔，是该技术的代表工厂。另一方面，意法互主导平面型技术。
此外，业内人士补充道，沟槽式技术结构较为复杂，难以控制良率，但可以节约SiC基板用量；而平面型技术则相对简单稳定，但需要更多的基板。这两种技术目前仍在激烈竞争中，很难说哪一种更优越。
然而，值得注意的是，最初的决战点似乎出现在特斯拉Model 3率先采用了平面型技术，这使得意法互在SiC领域处于领先地位，也引领其他汽车制造商的跟进。而此刻，英飞凌正加大沟槽式技术的产能，同时也在多个领域积极推进，以侵蚀以汽车为主的平面型市场。实际上，许多厂商也在积极转向沟槽式技术，比如安森美正在开发沟槽式SiC金属氧化物场效应晶体管（MOSFET），计划在2024年推出样本。
