首页 > 其他分享 >ASEMI代理艾赛斯IXFA14N85XHV功率MOSFET综合指南

ASEMI代理艾赛斯IXFA14N85XHV功率MOSFET综合指南

时间:2023-06-12 16:46:01浏览次数:44  
标签:MOSFET 电动汽车 IXFA14N85XHV 应用 功率 ASEMI 电流

编辑-Z

在当今世界,电力电子在各种应用中发挥着至关重要的作用,从电源和电机驱动到电动汽车和可再生能源系统。这些应用中的关键部件之一是功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。IXFA14N85XHV是一款先进的功率MOSFET,具有高性能、高可靠性和高效率。在本综合指南中,我们将探讨IXFA14N85XHV功率MOSFET的特点、优点和应用。

 

IXFA14N85XHV功率MOSFET的特点

 

1.高压额定值:IXFA14N85XHV的额定电压为850V,适用于高压应用。

2.低导通电阻:这种功率MOSFET的导通电阻(RDS(On))为14mΩ,从而减少了功率损耗并提高了效率。

3.快速切换速度:具有快速切换速度,使其能够以最小的切换损耗处理高频操作。

4.高电流能力:这种功率MOSFET具有14A的连续漏极电流(ID),可以处理高电流应用。

5.雪崩和短路坚固性:IXFA14N85XHV设计用于在雪崩和短路条件下承受高能脉冲,确保在恶劣环境中可靠运行。

6.针对并联进行优化:这种功率MOSFET具有正温度系数,适用于并联多个器件,以实现更高的电流能力。

 

 

IXFA14N85XHV功率MOSFET的优点

 

1.提高效率:IXFA14N85XHV的低导通电阻和快速开关速度有助于降低电力电子系统的功率损耗和提高整体效率。

2.增强的可靠性:这种功率MOSFET的坚固设计确保了即使在高电压、高电流和高温环境等恶劣条件下也能可靠运行。

3.降低了系统尺寸和成本:IXFA14N85XHV的高电压额定值和电流能力允许在电力电子系统中使用更少的组件,从而降低了系统的尺寸和成本。

4.简化的热管理:这种功率MOSFET的低功率损耗和正温度系数简化了热管理,减少了对复杂冷却系统的需求。

 

IXFA14N85XHV功率MOSFET的应用

 

1.电源:IXFA14N85XHV是高压电源的理想选择,例如用于电信、工业和医疗设备的电源。

2.电机驱动:这种功率MOSFET可用于电动汽车、工业自动化和机器人的电机驱动。

3.可再生能源系统:IXFA14N85XHV适用于太阳能逆变器、风力涡轮机转换器和储能系统。

4.电动汽车:这种功率MOSFET可以用于电动汽车充电站和车载功率转换器。

5.功率因数校正(PFC)电路:IXFA14N85XHV可用于功率因数校正电路,以提高电子系统的功率因数,降低能耗,降低公用事业成本。

 

IXFA14N85XHV功率MOSFET是一种先进的高性能器件,为广泛的电力电子应用提供了许多好处。其高电压额定值、低导通电阻、快速开关速度和坚固的设计使其成为电源、电机驱动、可再生能源系统、电动汽车等的理想选择。

标签:MOSFET,电动汽车,IXFA14N85XHV,应用,功率,ASEMI,电流
From: https://www.cnblogs.com/qyx3868/p/17475428.html

相关文章

  • FQL40N50-ASEMI代理安森美原装MOS管FQL40N50
    编辑:llFQL40N50-ASEMI代理安森美原装MOS管FQL40N50型号:FQL40N50品牌:ON/安森美封装:TO-264最大漏源电流:40A漏源击穿电压:500VRDS(ON)Max:110mΩ引脚数量:3工作温度:-55℃~150℃沟道类型:N沟道MOS管、高压MOS管FQL40N50特点40A,500V,RDS(on)=110mΩ(最大值)(VGS=10V且ID=20A时)低栅极电荷(......
  • FQL40N50-ASEMI代理安森美原装MOS管FQL40N50
    编辑:llFQL40N50-ASEMI代理安森美原装MOS管FQL40N50型号:FQL40N50品牌:ON/安森美封装:TO-264最大漏源电流:40A漏源击穿电压:500VRDS(ON)Max:110mΩ引脚数量:3工作温度:-55℃~150℃沟道类型:N沟道MOS管、高压MOS管FQL40N50特点40A,500V,RDS(on)=110mΩ(最大值)(VGS=10V且ID=20A......
  • BYC30W-600P-ASEMI代理NXP快恢复二极管BYC30W-600P
    编辑:llBYC30W-600P-ASEMI代理NXP快恢复二极管BYC30W-600P型号:BYC30W-600P品牌:NXP/恩智浦封装:TO-247-2L最大漏源电流:30A漏源击穿电压:600V引脚数量:2恢复时间:22ns正向压降:1.8V类型:快恢复二极管特性:超快恢复二极管、功率二极管工作温度:-65°C~175°CBYC30W-600P优势:低热......
  • ASEMI代理英飞凌TLE7244SL功率电子开关,TLE7244SL参数
    编辑-ZTLE7244SL参数描述:型号:TLE7244SL数字电源电压VDD:3.0V~5.5V模拟电源电压VDDA:4.5V~5.5V每个通道在Tj=150°C时的最大导通状态电阻RDS(ON,max):1.7Ω额定负载电流IL(nom):290mA过载关断阈值ID(OVL,max):950mA25°C时每个通道的输出泄漏电流ID(STB,max):1µA......
  • 了解ASEMI代理英飞凌TLE6208-6G其功能和应用的综合指南
    编辑-ZTLE6208-6G是一款高度集成、通用且高效的汽车半桥驱动器,由英飞凌设计。这种功能强大的设备专门设计用于满足汽车应用的苛刻要求,如控制直流电机、螺线管和电阻负载。在本文中,我们将深入研究TLE6208-6G的功能、优点和应用,并探讨它如何提高各种汽车系统的性能和效率。 TLE6......
  • IXFH4N100Q-ASEMI代理艾赛斯MOS管IXFH4N100Q
    编辑:llIXFH4N100Q-ASEMI代理艾赛斯MOS管IXFH4N100Q型号:IXFH4N100Q品牌:IXYS/艾赛斯封装:TO-247最大漏源电流:4A漏源击穿电压:1000VRDS(ON)Max:3Ω引脚数量:3工作温度:-55℃~150℃沟道类型:N沟道MOS管、高压MOS管IXFH4N100Q特点低栅极电荷和电容-更易于驾驶-更快的切换国际标准包装RDS低(打开)无......
  • IXFH4N100Q-ASEMI代理艾赛斯MOS管IXFH4N100Q
    编辑:llIXFH4N100Q-ASEMI代理艾赛斯MOS管IXFH4N100Q型号:IXFH4N100Q品牌:IXYS/艾赛斯封装:TO-247最大漏源电流:4A漏源击穿电压:1000VRDS(ON)Max:3Ω引脚数量:3工作温度:-55℃~150℃沟道类型:N沟道MOS管、高压MOS管IXFH4N100Q特点低栅极电荷和电容-更易于驾驶-更快的切换国际标......
  • IXFA14N85XHV-ASEMI代理艾赛斯MOS管IXFA14N85XHV
    编辑:llIXFA14N85XHV-ASEMI代理艾赛斯MOS管IXFA14N85XHV型号:IXFA14N85XHV品牌:IXYS/艾赛斯封装:TO-263最大漏源电流:14A漏源击穿电压:850VRDS(ON)Max:550mΩ引脚数量:3沟道类型:N沟道MOS管特性:高功率密度、易于安装、节省的空间芯片材质:封装尺寸:如图特性:高压MOS管、N沟道MOS管工作结温:-55℃~1......
  • IXFA14N85XHV-ASEMI代理艾赛斯MOS管IXFA14N85XHV
    编辑:llIXFA14N85XHV-ASEMI代理艾赛斯MOS管IXFA14N85XHV型号:IXFA14N85XHV品牌:IXYS/艾赛斯封装:TO-263最大漏源电流:14A漏源击穿电压:850VRDS(ON)Max:550mΩ引脚数量:3沟道类型:N沟道MOS管特性:高功率密度、易于安装、节省的空间芯片材质:封装尺寸:如图特性:高压MOS管、N沟道MOS管......
  • ASEMI代理英飞凌TLD5097EL:理解和使用LED驱动器的综合指南
    编辑-ZTLD5097EL是一款创新的LED驱动器,在照明行业掀起了波澜。这项先进的技术提供了广泛的好处,包括提高能源效率、延长使用寿命和增强性能。在本综合指南中,我们将探讨TLD5097EL的功能和优点,并提供如何有效利用该LED驱动器优化照明解决方案的提示。 什么是TLD5097EL?TLD5097EL是一款......