IKCM10H60GA-ASEMI代理英飞凌功率模块IKCM10H60GA

编辑-ZIPA50R190CE参数描述：型号：IPA50R190CE持续漏极电流：24.8A脉冲漏极电流：63A栅极-源极电压：20V功耗：32W操作和储存温度：-40~150℃连续二极管正向电流：8.1A漏源击穿电压：500V栅极阈值电压：3V零栅极电压漏极电流：1uA漏极源导通状态电阻：0.17Ω输入电容：1137pF输出电容：68pF二极管正向电压：0.85V......

编辑-ZIMBF170R1K0M1参数：漏源电压：1700V直流漏极电流：5.2A功率耗散：68W工作结温：-55~175℃储存温度：-55~150℃漏极源导通状态电阻：1000mΩ栅极-源极阈值电压：4.5V输入电容：275pF MOS管IMBF170R1K0M1是一款高性能的N沟道MOSFET晶体管，适用于各种功率开关应用。该晶体管采用了先进的封装技术......

编辑：llSPW47N60C3-ASEMI代理英飞凌MOS管SPW47N60C3型号：SPW47N60C3品牌：Infineon(英飞凌)封装：TO-247最大漏源电流：47A漏源击穿电压：650VRDS（ON）Max：70mΩ引脚数量：3沟道类型：N沟道MOS管芯片尺寸：MIL漏电流：恢复时间：5ns芯片材质：封装尺寸：如图特性：高压MOS管、N沟道MOS管工作结温......

编辑：llSPA17N80C3-ASEMI代理英飞凌MOS管SPA17N80C3型号：SPA17N80C3品牌：Infineon(英飞凌)封装：TO-220F最大漏源电流：17A漏源击穿电压：800VRDS（ON）Max：0.29Ω引脚数量：3特点新的革命性高压技术全球最佳RDS（上）在TO220中超低栅极电荷周期性雪崩额定值极限dv/dt额定值超低有效......

编辑：llIPA50R190CE-ASEMI代理英飞凌MOS管IPA50R190CE型号：IPA50R190CE品牌：Infineon(英飞凌)封装：TO-220F最大漏源电流：24.8A漏源击穿电压：500VRDS（ON）Max：0.19Ω引脚数量：3沟道类型：N沟道MOS管芯片尺寸：MIL漏电流：恢复时间：5ns芯片材质：封装尺寸：如图特性：高压MOS管、N沟道MOS管工作结温：-40℃~150......

编辑：llIMBF170R1K0M1-ASEMI代理英飞凌MOS管IMBF170R1K0M1型号：IMBF170R1K0M1品牌：英飞凌封装：TO-263最大漏源电流：31A漏源击穿电压：600VRDS（ON）Max：99mΩ引脚数量：3特点革命性的半导体材料-碳化硅针对飞回拓扑进行了优化12V/0V栅极-源极电压与大多数飞回控制器兼容非常低的开关损耗基准栅极......

编辑：llIPA50R190CE-ASEMI代理英飞凌MOS管IPA50R190CE型号：IPA50R190CE品牌：Infineon(英飞凌)封装：TO-220F最大漏源电流：24.8A漏源击穿电压：500VRDS（ON）Max：0.19Ω引脚数量：3沟道类型：N沟道MOS管芯片尺寸：MIL漏电流：恢复时间：5ns芯片材质：封装尺寸：如图特性：高压MOS管、N沟道MOS管......

编辑：llIMBF170R1K0M1-ASEMI代理英飞凌MOS管IMBF170R1K0M1型号：IMBF170R1K0M1品牌：英飞凌封装：TO-263最大漏源电流：31A漏源击穿电压：600VRDS（ON）Max：99mΩ引脚数量：3特点革命性的半导体材料-碳化硅针对飞回拓扑进行了优化12V/0V栅极-源极电压与大多数飞回控制器兼容非常低的开......

编辑-Z单向可控硅BT169D参数：型号：BT169D断态重复峰值电压VDRM：600V平均通电电流IT(AV)：0.6AR.M.S通电电流IT(RMS)：0.8A通态浪涌电流ITSM：10A平均栅极功耗PG(AV)：0.1W峰值门功率耗散PGM：0.5W工作接点温度Tj：-40~110℃储存温度TSTG：-40~150℃断态重复峰值电流IDRM：≤5uA重复峰值反......

编辑-Z本文主要介绍了可控硅BT169的工作原理及其在各个领域的用。首先，我们将详细阐述可控硅BT169的工作原理，包括结构特点、工作过程等；其次，我们将探讨可控硅BT169在家用电器、工业控制、电力电子等领域的应用。 1、可控硅BT169的工作原理可控硅BT169是一种三端双向可控硅，具有结构简......