MOS管做电容
若MOSFET的GSD短接,可以做什么器件用?其高频C-V特性如何? - 知乎 (zhihu.com)
独立元件的话衬底一般是短接到源的,没有引出,这样接完全没用。
独立元件虽然有用PN结做varactor的,但是用的是diode,不是用MOS结构(反正只要个PN结,做MOS不是浪费么)。
集成元件的话虽然可以用源漏到衬底之间的PN结做二极管用,但是要考虑到n阱工艺下所有NMOS的衬底都是接地的,同一个阱的PMOS衬底也是接一起的(一般都是VDD)。即使是双阱工艺也不会给每个管子做独立的衬底,而是会把一批管子放在同一个阱里共享衬底电压,所以这么接用途非常有限。
如果做MOS管电容的话有两种接法:一种是是源漏衬底接一起做一极(接地或者VDD),栅做另一极(接信号),MOS CAP接法当负载用,一般很小,大的会用正经的MOS电容。另一种是源漏接一起做一极,栅做另一极,衬底接一个固定电压,电容放在信号通路上,属于varactor接法,VCO里很常见。
用MOSFET做二极管也有两种接法:一种是GD短接做一极,BS短接做另一极(比较常见);还有一种是D做一极,GBS短接做另一极(比较接近你的思路)。为什么这么用可以自己想一想:)
实际上电路里出现GSD短接的都是dummy管。
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