一、MOS管：米勒效应、开关损耗以及参数匹配 MOS管即场效应管（MOSFET），属于压控型，是一种应用非常广泛的功率型开关元件，在开关电源、逆变器、直流电机驱动器等设备中很常见，是电力电子的核心元件。   MOS管有N沟道和P沟道之分，N沟道相当于NPN的三极管；P沟道相当于PNP的三极管。实际设计

一.STM32IO工作模式输出模式：四种推挽输出：p-mos和n-mos均有效、stm32对io口有绝对的控制权，引脚可以输出高低电平（1为高）开漏输出：必须外接上拉电阻才可以输出高电平         p-mos无效只有n-mos有效，只有低电平才有驱动能力，引脚只能输出低电平，可以作   

前言无刷电机是一种典型的机电一体化产品，它以电子换向取代了传统有刷电机的机械换向，具有众多显著优势。从结构上看，无刷电机主要由定子和转子组成。定子包含绕组等部件，转子通常由永磁体构成。无刷电机的工作原理是通过特定的电子控制器，按照一定的顺序切换定子绕组中的电流，从而

一：模式介绍1.1四种输入模式：1.2四种输出模式：二：模式框图三：模式解析3.1模拟输入模拟输入，即关闭施密特触发器，将电压信号传送到片上外设模块（不接上、下拉电阻）。通常是用于ADC采集电压输入通道，进行AD转换。3.2浮空输入浮空输入。浮空输入状态下，IO的电平状态是不确定的，完

MOS管作为电子设备中常用的功率开关器件，因其高效能、低导通损耗和快速开关速度，广泛应用于各类电源、电机控制和电力电子系统中。然而，在实际应用中，MOS管烧毁的现象时有发生，通常伴随着电路故障或设计问题。1.过电压损坏MOS管的额定电压设计通常具有一定的裕度，但即使仅超出

以mos为例：1、includelib命令输入.include，放入原理图后右键，导入模型2,首先加入一个mos按住ctrl，右键mos spicemodel输入型号，prefix输入X，Value可不填。设置好之后就可以开始仿真了。 

产品描述AP5101C是一款高压线性LED恒流芯片，外围简单、内置功率管，适用于6-100V输入的高精度降压LED恒流驱动芯片。最大电流2.0A。AP5101C可实现内置MOS做2.0A,外置MOS可做3.0A的。AP5101C内置温度保护功能，温度保护点为130度，温度达到130度时，输出电流慢慢减小，达到保护芯片电路

在我们的日常使用中,MOS就是个纯粹的电子开关虽然MOS管也有放大作用,但是几乎用不到,只用它的开关作用一般的电机驱动,开关电源,逆变器等大功率设备,全部使用MOS管作为电子开关使用起来比较方便经常用到的是N沟道的MOS管,与三极管不同,MOS管为电压型驱动方式,小电压控制

MOS栅结构是MOSFET的重要组成部分，一个典型的N沟道增强型结构示意图如图1所示。其中栅极、源极和漏极位于同一个平面内，半导体的另一个平面可以称为体端，所以在一些书籍和资料中，也将MOSFET称为四端器件，实际上那个体端一般跟源极相连接，所以在此还是将MOSFET看成三端器件。N沟道增强

产品描述AP5125是一款外围电路简单的Buck型平均电流检测模式的LED恒流驱动器，适用于8-100V电压范围的非隔离式大功率恒流LED驱动领域。芯片采用固定频率140kHz的PWM工作模式，利用平均电流检测模式，因此具有优异的负载调整率特性，高精度的输出电流特性。AP5125

结构：电感值的计算公式：推导：  输出电容的大小计算公式：推导：输入电容的大小计算：谐振频率的计算：这里的C比较特殊，因为buck电路有输入和输出两个电容，在MOS开启的时候，输入电容为L充电，MOS关闭的时候，电感输出电流，为输出电容充电，相当于有两个回路存在，因此需要计算两处的谐

产品描述AP5126是一款PWM工作模式，高效率、外围简单、内置功率管，适用于输入的高精度降压LED恒流驱动芯片。输出最大功率可达15W，最大电流1.5A。AP5126可实现全亮/半亮功能切换，通过MODE切换：全亮/半亮/循环模式。AP5126工作频率固定在140KHZ，同时内置抖频电路，可以降低对其他设

MOS管，全称为金属-氧化物半导体场效应晶体管（Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor，MOSFET），是一种重要的半导体器件，广泛应用于电子工业中各种电路的开关、放大、调制、数字电路和模拟电路等领域。以下是对MOS管的详细知识介绍：一、定义与结构定义：MOS管是一种利用电

产品描述AP5101C是一款高压线性LED恒流芯片，外围简单、内置功率管，适用于6-100V输入的高精度降压LED恒流驱动芯片。最大电流2.0A。AP5101C可实现内置MOS做2.0A,外置MOS可做3.0A的。AP5101C内置温度保护功能，温度保护点为130度，温度达到130度时，输出电流慢慢减小，达到保护芯片电路

目录:一、栅极电阻二、泄放电阻 一、栅极电阻我们知道，mos管是电压控制器件，与双极性三极管不同的是，mos管的导通只需要控制栅极的电压超过其开启阈值电压即可，不需要栅极电流。所以本质上，MOS管栅极上无需串联任何电阻。对于普通的双极性三极管，它是电流控制器件。它的基极串联

前言笔者近日在B站刷到了一个视频，使我对GPIO的I/O口内部基本结构以及工作原理有了恍然大明白的理解，现在对此做一个总结，并为大家推荐该视频Keysking【STM32】GPIO内部电路原理前言GPIO内部结构概览GPIO内部结构详解保护电路输出电路推挽输出开漏输出输入电路总结参考

环境Time2022-11-13WSL-Ubuntu22.04QEMU6.2.0Rust1.67.0-nightly前言说明参考：https://os.phil-opp.com/minimal-rust-kernel目标编译个x64平台的独立可执行程序。切换到nightly版本项目目录下新建rust-toolchain文件，文件内容为：nightly。main.rs#![no_std

环境Time2022-11-13WSL-Ubuntu22.04QEMU6.2.0Rust1.67.0-nightly前言说明参考：https://os.phil-opp.com/minimal-rust-kernel目标将上一节编写的可执行文件制作成QEMU可以启动的镜像，并使用QEMU调试。main.rs#![no_std]#![no_main]staticHELLO:&[u8]=b"

环境Time2022-11-13WSL-Ubuntu22.04QEMU6.2.0Rust1.67.0-nightlyVSCode1.73.1前言说明参考：https://os.phil-opp.com/minimal-rust-kernel目标将上一节编写的可执行文件制作成QEMU可以启动的镜像。使用QEMU启动后，使用VSCode远程调试。启动QEMU脚本#!/u

MOS管的漏极能做输入吗，MOS管的栅极能做输出吗MOS（Metal-Oxide-Semiconductor）管，特别是场效应晶体管（FET），通常不会将漏极（Drain）用作输入，也不会将栅极（Gate）用作输出。在基本的MOSFET设计中，漏极是一个电荷流过的路径，它连接到负载或电源，而栅极则是控制电流流动的电压节点。漏极是输出端：当

目录三极管极的定义与功能工作原理MOS管极的定义与功能工作原理区别归纳构造材料电极与区域控制方式工作特性三极管极的定义与功能基极（B）：用于激活晶体管，控制集电极和发射极之间的电流。它是三极管中的控制极，微小的基极电流变化可以引起集电极电流较大的变化。集电极（C）：三极管的

MOS管MOS管的三极1.MOS管概述2.MOS管开关电路的生成3.MOS管又分为N-MOS管和P-MOS管N-MOS（N沟道MOSFET）：结构和工作原理：N-MOSFET的导电沟道是由N型沟道形成的，通常是在P型衬底上形成的。在N-MOSFET中，当栅极施加正电压时，形成电场，使得N型沟道中的电子（载流子）能够从源极流向漏极

目录目录什么是MOS管作用和应用工作原理其他类型什么是MOS管MOS管（Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor，金属氧化物半导体场效应晶体管）是另一种重要的半导体器件，其作用和工作原理如下：以下为MOS管的原理图：作用和应用放大作用：MOSFET可以用作信号放大器。通

MOS管MOS管是金属-氧化物半导体场效应晶体管的缩写，是一种重要的半导体器件。它具有以下特点和应用：特点：高输入阻抗：MOS管的输入阻抗很高，可以减少对前级电路的影响。开关速度快：MOS管的导通和截止速度很快，适用于高频电路。噪声低：MOS管的噪声较低，适用于对噪声敏感的电路。

概述AP5161是一款高精度降压型大功率LED恒流驱动芯片。适用于输入电压100V以内的大功率LED恒流驱动电源。专利的高端电流检测、固定频率、电流模PWM控制方式，具有优异的线性调整率和负载调整率。芯片采用的特有恒流控制方式，使得LED输出电流精度达到±3%以内。芯