编辑：llASE200N03-ASEMI中低压N沟道MOS管ASE200N03型号：ASE200N03品牌：ASEMI封装：TO-252最大漏源电流：160A漏源击穿电压：30V批号：最新RDS（ON）Max：1.8mΩ引脚数量：3沟道类型：N沟道MOS管芯片尺寸：MIL漏电流：恢复时间：ns芯片材质：封装尺寸：如图特性：中低压MOS管、N沟道MOS管工作结温：-5

编辑：llASE100N03-ASEMI中低压N沟道MOS管ASE100N03型号：ASE100N03品牌：ASEMI封装：TO-252最大漏源电流：100A漏源击穿电压：30V批号：最新RDS（ON）Max：5.0mΩ引脚数量：3沟道类型：N沟道MOS管芯片尺寸：MIL漏电流：恢复时间：ns芯片材质：封装尺寸：如图特性：中低压MOS管、N沟道MOS管工作结温：-5

编辑：llASE80N10-ASEMI中低压N沟道MOS管ASE80N10型号：ASE80N10品牌：ASEMI封装：TO-252批号：最新最大漏源电流：80A漏源击穿电压：100VRDS（ON）Max：9.5mΩ引脚数量：3芯片个数：沟道类型：N沟道MOS管、低压MOS管漏电流：ua特性：N沟道MOS管、场效应管工作温度：-55℃~150℃备受欢迎的ASE80N10

编辑：llASE80N03-ASEMI中低压N沟道MOS管ASE80N03型号：ASE80N03品牌：ASEMI封装：TO-252最大漏源电流：80A漏源击穿电压：30V批号：最新RDS（ON）Max：6.5mΩ引脚数量：3沟道类型：N沟道MOS管芯片尺寸：MIL漏电流：恢复时间：ns芯片材质：封装尺寸：如图特性：中低压MOS管、N沟道MOS管工作结温：-55℃~

编辑：llASE60N02-ASEMI中低压N沟道MOS管ASE60N02型号：ASE60N02品牌：ASEMI封装：TO-252批号：最新最大漏源电流：60A漏源击穿电压：20VRDS（ON）Max：6mΩ引脚数量：3芯片个数：沟道类型：N沟道MOS管、低压MOS管漏电流：ua特性：N沟道MOS管、场效应管工作温度：-55℃~150℃备受欢迎的ASE60N02MOS

编辑：llASE50N06-ASEMI中低压N沟道MOS管ASE50N06型号：ASE50N06品牌：ASEMI封装：TO-252最大漏源电流：50A漏源击穿电压：60V批号：最新RDS（ON）Max：15mΩ引脚数量：3沟道类型：N沟道MOS管芯片尺寸：MIL漏电流：恢复时间：ns芯片材质：封装尺寸：如图特性：中低压MOS管、N沟道MOS管工作结温：-55℃~1

编辑：llASE50N03-ASEMI中低压N沟道MOS管ASE50N03型号：ASE50N03品牌：ASEMI封装：TO-252批号：最新最大漏源电流：50A漏源击穿电压：30VRDS（ON）Max：5.8mΩ引脚数量：3芯片个数：沟道类型：N沟道MOS管、低压MOS管漏电流：ua特性：N沟道MOS管、场效应管工作温度：-55℃~175℃备受欢迎的ASE50N03M

编辑：llASE40N02-ASEMI中低压N沟道MOS管ASE40N02型号：ASE40N02品牌：ASEMI封装：TO-252最大漏源电流：40A漏源击穿电压：20V批号：最新RDS（ON）Max：11.2mΩ引脚数量：3沟道类型：N沟道MOS管芯片尺寸：MIL漏电流：恢复时间：ns芯片材质：封装尺寸：如图特性：中低压MOS管、N沟道MOS管工作结温：-55℃

编辑：llASE30N06-ASEMI中低压N沟道MOS管ASE30N06型号：ASE30N06品牌：ASEMI封装：TO-252批号：最新最大漏源电流：30A漏源击穿电压：60VRDS（ON）Max：35mΩ引脚数量：3芯片个数：沟道类型：N沟道MOS管、低压MOS管漏电流：ua特性：N沟道MOS管、场效应管工作温度：-55℃~175℃备受欢迎的ASE30N06MO

编辑：llASE10N10-ASEMI中低压N沟道MOS管ASE10N10型号：ASE10N10品牌：ASEMI封装：TO-252最大漏源电流：10A漏源击穿电压：100V批号：最新RDS（ON）Max：130mΩ引脚数量：3沟道类型：N沟道MOS管芯片尺寸：MIL漏电流：恢复时间：ns芯片材质：封装尺寸：如图特性：中低压MOS管、N沟道MOS管工作结温：-55℃

1、感性负载引起的反电动势原理：当MOS管驱动感性负载如电机、变压器等时，在MOS管关断瞬间，电感中的电流不能突变，根据楞次定律，电感会产生一个与原电流方向相同的感应电动势来阻碍电流的减小，这个感应电动势会在MOS管两端产生一个很高的负压。影响因素：电感量越大，电流变化率越大，产生

开关电源作为现代电子设备中不可或缺的电源模块，在提供稳定电压的同时，也会面临许多电磁兼容性（EMC）挑战。除了我们通常关注的差模噪声源和共模噪声源外，开关电源中还存在一些其他的高频噪声源，这些噪声源同样可能导致电磁干扰（EMI）问题，影响电路的正常工作，并可能违反电磁兼容标准。

1、请问什么是通孔、盲孔和埋孔？孔径多大可以做机械孔，孔径多小必须做激光孔？请问激光微型孔可以直接打在元件焊盘上吗，为什么？通孔是贯穿整个PCB的过孔，盲孔是从PCB表层连接到内层的过孔，埋孔是埋在PCB内层的过孔。大多数PCB厂家的加工能力是这样的：大于等于8mil的过孔可以做机械孔，

我们经常看到，在电源电路中，功率MOS管的G极经常会串联一个小电阻，几欧姆到几十欧姆不等，那么这个电阻用什么作用呢？这个电阻的作用有2个作用：限制G极电流，抑制振荡。限制G极电流MOS管是由电压驱动的，是以G级电流很小，但是因为寄生电容的存在，在MOS管打开或关闭的时候，因为要对电容进行充电

MOS管基本参数MOS管（Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor,MOSFET）作为开关元件的应用非常广泛，其开关特性与三极管相比有所不同。MOSFET的主要工作原理是通过在栅极（Gate）上施加电压，控制源极（Source）与漏极（Drain）之间的电流流动。MOSFET在开关电源、电机驱动、隔

最近看stm32,对于GPIO的推挽输出和开漏输出概念做详细的理解开漏输出（Open-DrainOutput）是一种数字电路输出的类型，常见于微控制器、数字逻辑芯片等集成电路中。下面是开漏输出的一些基本特点和使用方法：基本特点只能输出低电平：开漏输出只能将输出端拉低到GND（接地），而不能将其

DC-DC、LDO使用PMOS还是NMOS？（1）DC-DC一般用NMOS：主要原因是PMOS的Rds(on)比较大，意味着DC-DC的损耗大，效率低。对于PMOS，ID为空穴电流，NMOS的ID为电子电流，空穴的移动比电子难，这也是PMOS导通内阻大的原因。形成空穴沟道比电子沟道更难，所以一般PMOS的导通电压

MOS管基础知识1场效应管分类场效应管分为结型(JFET)和金属-氧化物-半导体型(MOSFET)两种类型。JFET的英文全称是JunctionField-EffectTransistor，也分为N沟道和P沟道两种，在实际中几乎不用。MOSFET英文全称是Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor，应

编辑：llASE50N06-ASEMI中低压N沟道MOS管ASE50N06型号：ASE50N06品牌：ASEMI封装：TO-252批号：最新最大漏源电流：50A漏源击穿电压：60VRDS（ON）Max：15mΩ引脚数量：3芯片个数：沟道类型：N沟道MOS管、低压MOS管漏电流：ua特性：N沟道MOS管、场效应管工作温度：-55℃~175℃备受欢迎的ASE50N06MO

编辑：llASE8N65S-ASEMI高压N沟道MOS管ASE8N65S型号：ASE8N65S品牌：ASEMI封装：TO-220F最大漏源电流：8A漏源击穿电压：650V批号：最新RDS（ON）Max：1.25Ω引脚数量：3沟道类型：N沟道MOS管芯片尺寸：MIL漏电流：恢复时间：5ns芯片材质：封装尺寸：如图特性：高压MOS管、N沟道MOS管工作结温：-55℃~15

参考：https://www.eet-china.com/mp/a37555.html参考：https://ee.ofweek.com/2018-12/ART-8900-2801-30291388.htmlS级/源级/SourceG级/栅极/GridD级/漏级/DropNMOSPMOS对比NMOS靠近GND，PMOS靠近VCC测量二极管的类型万用表调节至二极管档红表笔接D，黑表笔接S，如低于0.7V，则

1、请解释WatchDog(看门狗)的工作原理。看门狗有两个重要信号：时钟输入和复位输出。电路工作时，CPU送出时钟信号给看门狗，即喂狗。如果系统出现故障，CPU无法送出连续的时钟信号，看门狗即输出复位信号给CPU，复位系统。2、晶体管基本放大电路有共射、共集、共基三种接法，请简述这

目录一、GPIO架构1、GPIO简介2、架构（1）、二极管保护与上下拉电阻（2）P-MOS与N-MOS推挽与开漏（3）、输出数据寄存器（4）、复用功能输出（5）、输入数据寄存器（6）、复用功能输入（7）、模拟输入与输出二、GPIO工作模式1、输入模式（上拉、下拉、浮空）2、输出模式（推挽/开漏，上拉/下拉）3、复用

编辑：llAO3401A-ASEMI中低压P沟道MOS管AO3401A型号：AO3401A品牌：ASEMI封装：SOT-23最大漏源电流：-4.2A漏源击穿电压：-30V批号：最新RDS（ON）Max：0.06Ω引脚数量：3沟道类型：P沟道MOS管芯片尺寸：MIL漏电流：恢复时间：5ns芯片材质：封装尺寸：如图特性：中低压MOS管、P沟道MOS管工作结温：-55℃

编辑：llAO3400A-ASEMI中低压N沟道MOS管AO3400A型号：AO3400A品牌：ASEMI封装：SOT-23批号：最新最大漏源电流：5.8A漏源击穿电压：30VRDS（ON）Max：30mΩ引脚数量：3芯片个数：沟道类型：N沟道MOS管、低压MOS管漏电流：ua特性：N沟道MOS管、场效应管工作温度：-55℃~150℃备受欢迎的AO3400AMOS管