MOSFET是一个四端器件（栅极、源极、漏极、衬底）。衬底一般连接到一个直流电源端:  NMOS的衬底接地GND，PMOS的衬底接高电平VDD。(为了使得MOS管中的PN结零偏或反偏，尽管如此，二极管的结电容也会对电路产生影响) （PN结正偏不仅会形成通路，也会导致结电容急剧增大C=ES/D）NMOS：1.p型

     在利用MOSFET实现自动切换电流档位的仿真时，发现MOSFET如果倒置时，控制VGS电压并不能关断MOSFET的电流，总是有一点漏电。如下图仿真所示。实际器件是否如此，暂时不知道，有机会要实际测试一下。 

 半导体行业在现代科技发展中起着举足轻重的作用，而作为半导体芯片的底层材料，碳化硅衬底不仅扮演着重要角色，更在高温、高压、大功率等极端条件下的应用中显示出了其卓越的性能。 要制作出质量优良的碳化硅衬底，就离不开碳化硅衬底研磨液，它主要具备以下几点作用： 1.悬浮作用

半导体晶圆衬底抛光研磨是半导体工艺中至关重要的一环，对晶圆衬底的加工质量和性能起着决定性的影响。在半导体制造过程中，抛光研磨工序是必不可少的，它能够平整晶圆衬底表面、去除缺陷并提供所需的光洁度和精度。在进行半导体晶圆衬底抛光研磨时，有几个关键要点需要注意。首先

MOS管做电容若MOSFET的GSD短接，可以做什么器件用？其高频C-V特性如何？-知乎(zhihu.com)独立元件的话衬底一般是短接到源的，没有引出，这样接完全没用。独立元件虽然有用PN结做varactor的，但是用的是diode，不是用MOS结构（反正只要个PN结，做MOS不是浪费么）。集成元件的话虽然可以用源漏

  在半导体产业链中，特别是第三代半导体（宽禁带半导体）产业链中，会有衬底及外延层之分，那外延层的存在有何意义？和衬底的区别是什么呢？首先，先普及一个小概念：晶圆制备包括衬

PMPS和NMOS的结合叫做CMOS技术。一旦向栅极端子施加电压，体内的电荷载流子（如空穴）就会被驱离栅极端子。这允许在两个端子（如源极和漏极）之间配置n型沟道，并且可以使用感应n型沟

在CMOS设计里，PMOS管和NMOS管同等重要，不过因为一般的电路设计书籍都注重NMOS管的讲解，PMOS都是直接类比NMOS，所以让人不太清楚PMOS的工作原理。1.端口不同PMOS和NMOS的源漏