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CMOS问题

时间:2022-10-14 19:47:24浏览次数:43  
标签:栅极 沟道 问题 衬底 场效应管 CMOS 端子

PMPS和NMOS的结合叫做CMOS技术。一旦向栅极端子施加电压,体内的电荷载流子(如空穴)就会被驱离栅极端子。这允许在两个端子(如源极和漏极)之间配置n型沟道,并且可以使用感应n型沟道从源极到漏极的两个端子的电子传导电流。

与NMOS相比,CMOS技术在质量上是一流的。特别是在低静态功耗和抗噪声等特性方面

什么是P阱和N阱?

把p沟道MOS场效应管制作在n型硅片衬底(电子导电)上,另外用硼离子注入到n型衬底上,形成一个p阱(其实后来就对应P沟道)

把n沟道MOS场效应管制作在p型硅片衬底(空穴导电)上,而用磷注入到p型衬底上,形成一个n阱(其实就对应N沟道)

什么是CMOS?

全称是complementary metal oxide semiconductor,在大规模电路中,CMOS和PMOS集成在一起,通过同一个信号来控制,从而实现数字电路的逻辑功能

标签:栅极,沟道,问题,衬底,场效应管,CMOS,端子
From: https://www.cnblogs.com/demo561/p/16792772.html

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