最小压降： 输入与输出的最小电压差。1不同芯片设计工艺和结构，压降不同。2压降与工作电流有关，电流越大，压降越大。3温度越高，压降越大。4压降小可以优化效率。输入电压：1器件耐压考虑电压最高瞬态值。2长导线的输入电压要考虑浪涌电压。3通常按2倍以上取耐压值比较

 

本文以Ut=10sin(wt)的正弦电压为例:幅值：10V振幅:10V峰值(Vp:Peak):10V峰峰值(Vpp:Peaktopeak):20V有效值(Vrms):10/2^(1/2)-->峰值除以根号二平均值(Vavg):这边提以下半波整流与全波整流下平均值与峰值的关系半波整流:Vavg=0.45Vp全波整流:Vavg=0.9Vp注意:

①二极管1.二极管具有正向导通特性，但需要一定的门槛，称为门槛电压。锗为0.2V，硅为0.6V2.实际的二极管具有压降，这个压降称为正向压降。锗为0.3V，硅为0.7V3.二极管的管芯分为点接触、面接触和平面型。这直接影响其允许通过的电流。4.二极管最重要的参数：最大正向电流，最大反向工

 总结：温度越低，同样Vce下运行通过电流越大。1、FP25R12KE3Tj=125,Ic=25A时，VCE=2V。 2、FF450R17ME4Tj=25,Ic=450A时，VCE=2V。3、7MBR75VB120-50Tj=125,Ic=125A时，VCE=2V。4、FGA25N120ANTDTj=25,Ic=75A时，VCE=3V。5、FGL40N120ANDTj=25,Ic=60A时，VCE=3V。6、F3L

一、实验目的和任务1、了解PN结正向压降随温度变化的基本关系式；2、在恒定正向电流条件下，测绘PN结正向压降随温度变化曲线，并由此确定其灵敏度；3、学习用PN结测温的方法。二、

  参考电荷泵倍压输出电路，把参考电压由Vcc改为GND，即可得到电荷泵负压输出电路。  当Vin为高电平Vh时，T1测试点的电压VT1是GND（为了简便起见，忽略二极管的压降）Vin为电容C1

编辑-ZASEMI肖特基二极管SBT30100VFCT参数：型号：SBT30100VFCT最大重复峰值反向电压（VRRM）：100V最大平均正向整流输出电流（IF）：30A峰值正向浪涌电流（IFSM）：250A每个元件的典型热

编辑-ZASEMI肖特基二极管SBT30100VFCT参数：型号：SBT30100VFCT最大重复峰值反向电压（VRRM）：100V最大平均正向整流输出电流（IF）：30A峰值正向浪涌电流（IFSM）：250A每个元件的典型热阻（ReJA）：2

编辑-ZASEMI整流桥UD4KB100参数：型号：UD4KB100最大重复峰值反向电压（VRRM）：1000V最大平均正向整流输出电流（IF）：4A峰值正向浪涌电流（IFSM）：125A每个元件的典型热阻（ReJA）：35℃/W工作结和储

编辑-ZASEMI肖特基二极管SBT30100VCT参数：型号：SBT30100VCT最大重复峰值反向电压（VRRM）：100V最大平均正向整流输出电流（IF）：30A峰值正向浪涌电流（IFSM）：250A每个元件的典型热阻（ReJA）：2℃/

编辑-ZASEMI肖特基二极管SBT20100VDC参数：型号：SBT20100VDC最大重复峰值反向电压（VRRM）：100V最大平均正向整流输出电流（IF）：20A峰值正向浪涌电流（IFSM）：180A每个元件的典型热阻（R

编辑-ZASEMI肖特基二极管SBT10100VCT参数：型号：SBT10100VCT最大重复峰值反向电压（VRRM）：100V最大平均正向整流输出电流（IF）：10A峰值正向浪涌电流（IFSM）：150A每个元件的典型热阻（ReJA）：2℃/

编辑-ZASEMI肖特基二极管SBT10100VCT参数：型号：SBT10100VCT最大重复峰值反向电压（VRRM）：100V最大平均正向整流输出电流（IF）：10A峰值正向浪涌电流（IFSM）：150A每个元件的典型热阻（R

编辑-ZASEMI肖特基二极管SB30100LCT参数：型号：SB30100LCT最大重复峰值反向电压（VRRM）：100V最大平均正向整流输出电流（IF）：30A峰值正向浪涌电流（IFSM）：200A每个元件的典型热阻（ReJA）：2.5℃/

编辑-ZASEMI肖特基二极管SB40100LCT参数：型号：SB40100LCT最大重复峰值反向电压（VRRM）：100V最大平均正向整流输出电流（IF）：40A峰值正向浪涌电流（IFSM）：200A每个元件的典型热阻（ReJA）：2℃/W