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LDO(线性稳压器)关键参数与设计技巧

时间:2024-09-11 18:25:41浏览次数:3  
标签:瞬态 芯片 LDO 压降 响应 电压 线性 电流 稳压器

最小压降: 输入与输出的最小电压差。

1 不同芯片设计工艺和结构,压降不同。

2 压降与工作电流有关,电流越大,压降越大。

3 温度越高,压降越大。

4 压降小可以优化效率。


输入电压:

1 器件耐压考虑电压最高瞬态值。

2 长导线的输入电压要考虑浪涌电压。

3 通常按2倍以上取耐压值比较安全。


输出电流:

1 实际输出能力与输入输出压差和电流有关。

2 输出电流越大,散热问题越重。

3 大电流应用,用开关电源代替。


热阻参数:

T_{jMax}:芯片内核正常工作的最高温度。

\Theta _{JC}:芯片内核到芯片外壳的每W温升。

\Theta _{JA}:芯片内核到外部环境的每W温升。(重要)

1 相同型号不同封装,热阻不同。

2 辅助散热能极大缓解散热压力。(铺铜,散热片)


纹波/噪声:

1 LDO的纹波噪声通常小于100uf,开关电源通常大于10mv。

2 PSRR是非常重要的噪声抑制指标。

3 越是低频的噪声,越难抑制。


瞬态响应:电流突变时的应对能力

数字电路(100ns)与模拟电路(1us)能力不同。

1 系统偶发性复位,可能是电源瞬态响应差。

2 瞬态响应与负载电流突变幅度与斜率有关。

3 输出电容可以提高响应能力,但会拉长响应时间。

4 电容使用器件规格书里推荐的。


业界优秀LDO

1 ADI LT3045    2  Microchip MCP1792    3 Ti TPS7A20 

标签:瞬态,芯片,LDO,压降,响应,电压,线性,电流,稳压器
From: https://blog.csdn.net/2301_80163948/article/details/142146437

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