6. 中断和事件（INT/EVT）
6.1. 嵌套向量中断控制器
• 中断都可屏蔽(除了 NMI)
• 4 个可编程的优先等级
• 低延迟的异常和中断处理
• 电源管理控制
• 系统控制寄存器的实现
嵌套向量中断控制器(NVIC)和处理器核的接口紧密相连，可以实现低延迟的中断处理和高效地处理晚到的中断。
嵌套向量中断控制器管理着包括核异常等中断。关于更多的异常和 NVIC 编程的说明请参考 CPU技术参考手册。
6.2. 系统滴答(SysTick)校准值寄存器
本芯片支持系统滴答计时。
6.3. 中断功能描述
处理器和嵌套式矢量型中断控制器(NVIC)在处理(Handler)模式下对所有异常进行优先级区分以及处理。当异常发生时，系统自动将当前处理器工作状态压栈，在执行完中断服务子程序 (ISR)后自动将其出栈。
取向量是和当前工作态压栈并行进行的，从而提高了中断入口效率。处理器支持咬尾中断，可实现背靠背中断，大大削减了反复切换工作态所带来的开销。
6.4. 外部中断/事件控制器(EXTI)
外部中断/事件控制器包含 26 个产生中断/事件触发的边沿检测电路，每条输入线可以独立地配置触发事件类型（上升沿或下降沿或者双边沿都触发）。每条输入线都可以独立地被屏蔽，挂起寄存器保持着状态线的中断请求，可通过对挂起的寄存器对应位写“1”清除中断请求。
6.4.1. 主要特征
EXTI 控制器的主要特性如下
• 每个中断/事件都有独立的触发和屏蔽
• 每个中断线都有专用的状态位
• 支持多达 26 个软件中断/事件请求
• 支持上升沿、下降沿和双边沿 3 种触发事件类型
6.4.2. 唤醒事件管理
CIU32F011x3、CIU32F031x5 可以处理外部或内部事件来唤醒内核(WFE)。唤醒事件可以通过下述配置产生：
外设的控制寄存器使能一个中断，但不在 NVIC 中使能，同时在 CPU 的系统控制寄存器中使能SEVONPEND 位。当 CPU 从 WFE 恢复后，需要清除相应外设的中断挂起位和外设 NVIC 中断通道挂起位（在 NVIC 中断清除挂起寄存器中）。配置一个外部或内部 EXTI 线为事件模式，当 CPU 从 WFE 恢复后，因为对应事件线的挂起位没有被置位，不必清除相应外设的中断挂起位或 NVIC 中断通道挂起位。
7. 循环冗余校验计算单元（CRC）
7.1. 模块介绍
循环冗余校验(CRC)计算单元是根据自定义的生成多项式得到任意一个 32 位全字的 CRC 计算结果。在其他的应用中，CRC 技术主要应用于核实数据传输或者数据存储的正确性和完整性。CRC 计算单元可以在程序运行时计算出软件的标识，之后与在连接时生成的参考标识比较，然后存放在指定的存储器空间。
7.2. 功能特点
• 支持 16/32 位不同长度的多项式
• 支持自定义的多项式
• 默认是 32 位多项式:
x 32 + x26 + x23 + x22 + x16 + x12 + x11 + x10 +x8 + x7 + x5 + x4 + x2+ x +1
• 一个 32 位初始值配置寄存器用于输入，一个 32 位结果寄存器用于输出结果
7.3. 功能说明
该模块用于计算 SRAM 中指定数据段的 CRC 校验值，软件配置计算初始值、校验多项式、起始地址、数据长度，启动 CRC 计算后等待硬件完成标志有效时读取 CRC_OUT 寄存器可获得 CRC 校验值。
8. 电源管理（POWER MANAGEMENT）
8.1. 电源
芯片的工作电压为 2.5V~5.5V。本芯片采用 Cap-Less 设计，无需在内置 LDO 输出上外挂电容。内置 LDO 具有 2 挡位下拉电流使能 PMUCON0[18:17]，同时也有低功耗参考电流寄存器
PMUCON0[16:14]。
8.1.1. 电压调节器
复位后调节器总是使能的。在需要低功耗的场合，可以使能低功耗工作模式。
8.2. 电源管理器
8.2.1. 上电复位(POR) 和掉电复位(PDR)
CIU32F011x3、CIU32F031x5 内部有一个完整的上电复位(POR)和掉电复位(PDR) 电路，当供电电压达到 2.2V 时系统能正常工作。当 VDD 低于指定的限位电压 VPOR(1.2V)/VPDR(1.1V)时，系统保持为复位状态，而无需外部复位电路。
8.2.2. 可编程电压监测器(PVD)
华大电子MCU CIU32F011x3、CIU32F031x5 内部集成一个外部供电 VCC 电压检测器，检测电压均阈值可选。当系统监测到 VCC 电压低于配置电压值时，可以选择触发系统复位或通过使能 PVD 中断进入中断子函数。这一特性可用于执行紧急关闭任务。检测信号可以选择经过毛刺滤波电路或直接检测，由 LVDCON 的 LVD_VCC_BPS_EN 来控制。
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