【模拟电子技术】06-双极晶体管的结构与放大原理

【模拟电子技术】06-双极晶体管的结构与放大原理

图（b）中我们可以看到三个区的分类，发射区之所以为发射区是因为掺杂浓度高，才能发射电子出去。而集电区掺杂浓度低，就好比我们想让一个房间当作仓库，那么它的空间肯定要大，里面原本不能是放了很多东西。

下图NPN晶体管中发射结正偏，集电极反偏

如图发射极接地，为共射放大电路，上面我们说到，发射极的电子浓度高，且正偏，电子大量聚集在基极，难免与基极空穴结合，损失一些电子。这就像是鹿群过河，河里有鳄鱼（空穴），如果河的宽度很宽，鳄鱼很多那么鹿群将无法完成过河迁徙。为了防止鹿群被河里的鳄鱼吃光即防止电子被基极的空穴全部复合，基极一般会设计的比较窄，且浓度低，鳄鱼少。大量的电子在基极，但是这时集电极是反偏的，电场方向从上到下，这对电子来说，电子将被拉到集电极，不会在基极长时间逗留。因此IBN与ICN是主要的电流。其中还有一些少子漂移运动引起的ICBO和IEP，与IBN和ICN相比可以忽略，所以得到放大系数β=IC/IB如下图公式。

注意，IC与IB应该存在一个放大系数，但是当没有IB时，IC处还有一个电流，这个电流就叫做ICEO穿电流

上图中左侧为共基放大电路β=IC/IE，右侧为共射放大电路β=IC/IB，放大系数没用到哪一极，就是共什么的。