小道消息
联发科和联电在12纳米制程技术方面有潜在的合作机会…
2024年初根据相关报道，联电和英特尔宣布12纳米制程工艺合作。此外，市场传闻称联发科可能会考虑将部分订单转投给英特尔，但也有机会成为联电12纳米制程的客户。
联发科在射频产品线涵盖多种工艺和应用领域。在12纳米制程技术方面更是发布了多款射频收发芯片，12纳米制程的射频收发芯片在现代无线通信技术中具有重要地位，具有更高的集成度和更低的功耗。因此在现代电子产品中广泛应用，特别是5G通信领域。
联发科的MT6190MV是一款采用12nm FinFET CMOS工艺的多模多频段高集成度射频收发器。该芯片被设计为嵌入到整个平台中的RF独立芯片，它被广泛应用于多个终端设备中。在红米Note10 5G、OPPO Reno6和三星A系列等多品牌手机中均能看到它的身影。其管芯面积为5.33 x 4.79mm²，金属布线层数为9层。
概貌图、电路图分享
下面小伙伴儿们就跟平台君一起来看一下它的庐山真面目吧，下图是MT6190MV芯片的概貌图以及管芯标识。
MT6190MV概貌图
MT6190MV管芯标识1
MT6190MV管芯标识2
以下两幅图片为MT6190MV芯片的典型器件细节图（12nm工艺）。
多晶层MOS管细节图
金属层叉指电容细节图
平台君手里的数据远不止这些，IPBrain小组的成员还对该芯片的电路图做了分析整理，为了满足小伙伴儿们的好奇心，平台君从IPBrain小组的分析数据中看到了有混频器模块的电路，在此分享一下混频器模块中典型单元的电路图。快来一起看看吧！
混频器的主要功能电路
以上是对MT6190MV芯片的资讯分享，今天平台君就先分享到这里啦。
标签：12,MT6190MV,芯片,制程,12nm,联发科,红米,管芯,射频 From： https://blog.csdn.net/weixin_47195091/article/details/142479079