首页 > 其他分享 >静电场中的导体

静电场中的导体

时间:2023-11-04 16:01:24浏览次数:37  
标签:静电场 frac 导体 epsilon 电荷 pi sigma

静电平衡

处在电场中的导体,其内部的电荷会受到外部电场的作用,从而使得电荷分布发生变化。用高斯公式和反证法等可得出,处于该状态下的导体电荷之分布在内外表面,导体内部场强为0,整个导体是一个等势体,此状态称之为静电平衡

导体表面电荷分布

如图
image

在导体表面做一个小的圆柱,通过高斯定理有:

\[ES = \frac{q}{\epsilon_{0}} \Rightarrow E = \frac{\sigma}{\epsilon_{0}} \]

探究电荷面密度的分布规律

假设有两个均匀带电导体球,半径分别为\(R_{1},R_{2}\),电荷分别为\(q_{1},q_{2}\),并且两个导体球足够圆。现用一足够长的导线将两球相连,求连接后的电荷分布情况
解:
有题意有:

\[q_{1}^{'} +q_{2}^{'} = q_{1}+q_{2} \qquad \qquad (1) \]

再由连接后电势相等有:

\[\frac{q_{1}^{'}}{4\pi\epsilon_{0}R_{1}} = \frac{q_{2}^{'}}{4\pi\epsilon_{0}R_{2}} \]

由(1)(2)两式有:

\[\frac{\sigma_{1}}{\sigma_{2}} = \frac{R_{2}}{R_{1}} \]

同理,在一个导体上曲率半径越小的地方电荷密度越大,场强越大, 在电场中越容易电离,这也是尖端放电的原因

同心球和球壳问题

该类问题只需注意几个方面:

  1. 电荷守恒
  2. 导体内部场强为0,导体为等势体,电荷分布在内外表面
  3. 接地后导体电势为0
    根据上面的条件,结合电势和电场分布公式及高斯定理分析即可求解

导体接地问题

导体接地\(\Rightarrow\) 电势为0
一般情况下:

  1. 对于某个孤立的导体,无附加电场时,或者内部的净电荷为0,如果该导体接地,则该导体的电荷分布为0。 假设该导体的电荷不为0,则一定分布在外表面,并且外表面一定有垂直于表面的电场,由电势的定义知该导体的电势一定不为0,与大条件矛盾。
  2. 如果在电场中,则该导体的电荷分布一般不为0 。 如果为0,则电势一定不为0 。

电容器

1.平行带电极板电荷分布规律

如图
image

两个大小一致且足够大的平行带点极板,电荷密度如图。做出一个圆柱形高斯面有:

\[\sigma_{2} = -\sigma_{3} \]

以及:

\[\sigma_{1}S +\sigma_{2}S = q_{1} \qquad \sigma_{3}S+\sigma_{4}S=q_{2} \]

在某极板中任取一点,可知该点场强为0,则有:

\[\frac{\sigma_{1}}{2\epsilon_{0}} - \frac{\sigma_{2}}{2\epsilon_{0}} -\frac{\sigma_{3}}{2\epsilon_{0}} - \frac{\sigma_{4}}{2\epsilon_{0}} = 0 \]

联立得到:

\[\sigma_{2}= -\sigma_{3} = \frac{q_{1}-q_{2}}{2S} \qquad \sigma_{1}=\sigma_{4}= \frac{q_{1}+q_{2}}{2S} \]

  1. 当两板带等量同种电荷是,此时两板内侧电荷为0,电荷全部分布在两板外侧且电量相同。
  2. 当两板带等量异种电荷时,此时两板外侧电量为0,电荷全部分布在两板内侧且电量相同。
电容的定义

\[C = \frac{Q}{\Delta u} \]

平行板电容器

假设两带等量异种电荷,密度为\(\sigma\),间距为d,面积为S,则有:

\[Q = \sigma S \qquad \Delta u = Ed = \frac{\sigma}{\epsilon_{0}}d \]

所以:

\[C = \frac{S\epsilon_{0}}{d} \]

球形电容器

如图
image

有:

\[\Delta u = \int_{R_1}^{R_{2}} \frac{Q}{4\pi\epsilon_{0}r^{2}}dr = \frac{Q}{4\pi\epsilon_{0}}( \frac{1}{R_{1}}- \frac{1}{R_{2}}) \]

此时,有:

\[C = \frac{4\pi\epsilon_{0}R_{1}R_{2}}{R_{2}-R_{1}} \]

当只有一个均匀带点球体时,即\(R_{2}\to\infty\) ,有:

\[C = 4\pi\epsilon_{0}R_{1} \]

圆柱形电容器

如图
image

做一个圆柱形高斯面
有 :

\[E2\pi rl = \frac{lq}{h\epsilon_{0}} \Rightarrow E = \frac{q}{2\pi rh\epsilon_{0}} \]

所以有:

\[\Delta u = \frac{q}{2\pi h\epsilon_{0}}\ln \frac{R2}{R1} \]

即:

\[C = \frac{2\pi h \epsilon_{0}}{\ln R_{2}/R_{1}} \]

如果满足条件:\(R_{1}>> R_{2}-R_{1}\),则有:\(\ln \frac{R_{2}}{R_{1}} = ln \left(1+ \frac{R_{2}-R_{1}}{R_{1}} \right)\approx \frac{R_{2}-R_{1}}{R_{1}}\)
则有:

\[C = \frac{2\pi h \epsilon_{0}R_{1}}{R_{2}-R_{1}} = \frac{S}{\Delta R}\epsilon_{0} \]

等效为一个平行板电容器

平行板电容器的级联和并联
  1. 级联

\[\frac{1}{C} = \sum\limits_{i}^{n} \frac{1}{C_{i}} \]

  1. 并联

\[C = \sum\limits_{i}^{n} C_{i} \]

电介质的极化

根据实验结果表明:当一个平行带点极板之间的介质变成\(\epsilon_r\)的电介质时,两极板的电压会减小,具体可表示为:

\[\Delta u = \frac{\Delta u}{\epsilon_{r}} \]

因此,当中间的介质为\(\epsilon_{r}\)的时候,上面推导得出的电容公式都应该乘上\(\epsilon_{r}\),后面的公式也一样

深入研究分析

通过做出高斯面分析可知,电势差减小的原因是电场减小,更直接的说时极板两侧的电荷减少。

  1. 对于无极分子,会发生位移极化,即原本没有没有极性的分子在外部电场的作用下发生位移,导致正负电荷的中心不再重合,分子形成成为一个简易的电偶极子,阻碍场强的作用。
  2. 对于有极分子,会发生取向极化,即原本算乱排布的分子会发生一定的角度偏移,从而来阻碍电场的作用。
    靠近极板两侧的电荷称之为束缚电荷,也是导致极板两侧电荷减少的原因。

静电场的能量

平行板电容器的能量

对于一个平行板电容器,有:

\[W = \int_{0}^{Q} \frac{q}{C}dq = \frac{Q^{2}}{2C} = \frac{1}{2}CU^{2} \]

又有:

\[U = Ed \quad C = \frac{\epsilon_{0}S}{d} \]

带入有:

\[W = \frac{1}{2}\epsilon_{0}E^{2}Sd = \frac{1}{2}\epsilon_{0}E^{2}V \]

我们令\(w_{e}\)为单位能量密度,则有:

\[w_{e} = \frac{W}{V} = \frac{1}{2}\epsilon_{0}E^{2} \]

这个公式可以推广计算静电场的能量

标签:静电场,frac,导体,epsilon,电荷,pi,sigma
From: https://www.cnblogs.com/C-qian/p/17809449.html

相关文章

  • 静电场
    库伦定律设真空中两点电荷\(q_{1},q_{2}\),距离为\(r\),他们之间的库仑力为:\[\vec{F}=\frac{kq_{1}q_{2}}{r^{2}}\vec{r}=\frac{q_{1}q_{2}}{4\pi\varepsilon_{0}r^{3}}\vec{r}\]其中\(k=8.986\times10^{9}N\cdotm^{2}/C^{2}\)电场\[\vec{E}=\frac{\vec{F}}{q}=\f......
  • 半导体基础SECS协议(导言)
    SECS,全称SEMIEquipmentCommunicationStandards(SEMI设备通讯标准),SECS基础一般包括以下四个标准—— SECS-I、SECS-II、GEM以及HSMS,它们间的层次结构大致如下图所示: 其中,SECS-I与HSMS都规定了设备在物理链路上的消息格式、传输行为等内容,区别在于使用的物理实......
  • 半导体核心技术外泄,多名三星高管被查 | 百能云芯
    10月27日消息,据韩国近日传出一起涉及三星电子公司的敏感案件,一名前高管被指控向中国泄露核心半导体技术和人力资源,引发了广泛关注。这名前高管还被控非法使用工厂蓝图,并将机密信息泄露给其他公司。韩国官员透露,首尔地方警察厅已展开调查,对三星前副总裁、前高级研究员、一位大学教授......
  • 极速智能,创见未来——2023芯和半导体用户大会顺利召开
    高性能计算和人工智能正在形成推动半导体行业飞速发展的双翼。面对摩尔定律趋近极限的挑战,3DICChiplet先进封装异构集成系统越来越成为产业界瞩目的焦点。这种创新的系统不仅在Chiplet的设计、封装、制造、应用等方面带来了许多突破,同时也催生了全新的ChipletEDA平台,共同为创造下......
  • 半导体测试DFT
    如下图所示,一颗芯片最终做到终端产品上,一般需要经过芯片设计、晶圆制造、晶圆测试、封装、成品测试、板级封装等这些环节。 在整个价值链中,芯片公司需要主导的环节主要是芯片设计和测试,其余的环节都可以由相应的partner来主导或者完成。 半导体测试定义与基本工作机制:半导体......
  • 华秋亮相第五届模拟半导体大会,助力电子行业高质量发展
    “全球芯片看模拟,模拟市场看中国。”根据WSTS统计,全球模拟芯片市场规模从2017年的268亿美元增长到2022年的845亿亿美元。预计2023年全球模拟芯片市场规模预计将达948亿美元。中国模拟芯片厂商在近几年抓住行业东风,在消费电子、工业以及物联网、汽车市场都取得了突破性进展。为此,电......
  • 半导体行业相关
    半导体工艺制造Well和反型层:在衬底上制造Well和反型层,这是半导体制造的基础步骤。氧化:在半导体表面形成一层氧化膜,作为掩蔽层或绝缘层。掺杂:通过物理或化学方法将杂质注入半导体中,以控制导电性能。制作二氧化硅(SiO2):在CMOS制造流程中,制作二氧化硅的方法有多种,如热氧化、化学气......
  • 半导体企业如何进行跨网数据交换 ,又能保护核心数据安全性?
    为了保护设计文档、代码文件等内部核心数据,集成电路半导体企业一般会将内部隔离成多个网络,比如研发网、办公网、生产网、测试网等。常规采取的网络隔离手段如下:1、云桌面隔离:一方面实现数据不落地,终端数据安全有保障,另一方面,也可以实现内部数据不会轻易泄露到外部2、防火墙隔离:......
  • APT80DQ40BG-ASEMI低功耗半导体APT80DQ40BG
    编辑:llAPT80DQ40BG-ASEMI低功耗半导体APT80DQ40BG型号:APT80DQ40BG品牌:ASEMI封装:TO-3P恢复时间:>50ns正向电流:80A反向耐压:400V芯片个数:2引脚数量:3类型:快恢复二极管特性:插件快恢复二极管、大功率、低功耗半导体浪涌电流:600A正向压降:1.20V封装尺寸:如图工作温度:-55°C~150°CAPT80DQ40BG......
  • APT80DQ40BG-ASEMI低功耗半导体APT80DQ40BG
    编辑:llAPT80DQ40BG-ASEMI低功耗半导体APT80DQ40BG型号:APT80DQ40BG品牌:ASEMI封装:TO-3P恢复时间:>50ns正向电流:80A反向耐压:400V芯片个数:2引脚数量:3类型:快恢复二极管特性:插件快恢复二极管、大功率、低功耗半导体浪涌电流:600A正向压降:1.20V封装尺寸:如图工作温度:-55°C~15......