资料来源
1.https://zhuanlan.zhihu.com/p/343262874
(1)主要讲DRAM刷新的内容: 为什么需要刷新(漏电流导致电容电荷的流失)? 刷新的本质(对存储数据的电容进行充电操作,防止表示数据 1 的电荷因为漏电流的原因随时间流失)?刷新的间隔(不能太长,也不能太短;太长不能保证数据正确性,太短影响正常读写操作)? DRAM刷新命令以及DRAM刷新时序参数(tREFI, tREFC)? DRAM超前延后刷新命令;
(2) 该处的刷新由memory controller和 DRAM 颗粒内部电路共同实现.MC 以发送刷新命令的方式通知 DRAM 颗粒进行刷新;DRAM 颗粒内部电路则负责进行刷新操作。
2. https://zhuanlan.zhihu.com/p/346528173
(1) 主要讲DRAM self refresh内容;”自“刷新,即无需控制器发出刷新命令(但是memory controller需要发出SRE命令,让DRAM进入self refresh模式),DRAM 基于内部的定时器进行定时刷新.
(2) 什么场景下,需要使用DRAM self refresh(如系统进入低功耗模式)?
(3) 多种self refresh模式以适应不同工作温度范围,高温会加大漏电流的影响,需要提升刷新频率(通过配置寄存器进行模式的选择)?
3.https://digitalasic.design/category/ddr/ddr-%e5%ad%a6%e4%b9%a0%e6%97%b6%e9%97%b4/
标签：收集,DDR,self,文章,refresh,命令,https,刷新,DRAM From： https://www.cnblogs.com/csjt/p/16715261.html