型号：EMP31N03HQ
描述：单n通道逻辑电平增强模式场效应晶体管
封装：EDFN5x6
批次：新年份
特点
单N通道MOSFET
UIS, Rg 100%测试
无铅镀铅，无卤素
型号：RAA220001GNP
一般描述：半桥 栅极驱动器 IC 非反相 8-DFN（2x2）
驱动配置：半桥
通道类型：同步
驱动器数：2
栅极类型：N 沟道 MOSFET
电压 - 供电：6V ~ 13.2V
逻辑电压 - VIL，VIH：-
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：-
输入类型：非反相
高压侧电压 - 最大值（自举）：36 V
上升/下降时间（典型值）：31ns，18ns
工作温度：-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：表面贴装型
封装/外壳：8-VFDFN 裸露焊盘
供应商器件封装：8-DFN（2x2）
基本产品编号：RAA220001
概述：RAA220001是一种高频MOSFET驱动器，设计用于驱动同步整流buck转换器拓扑中的上、下功率n通道MOSFET。
在RAA220001中，上门板和下门板都被驱动到外部施加的电压，这提供了优化应用的能力，包括门板电荷和传导损耗之间的权衡。集成了先进的自适应穿透保护，以防止上部和下部mosfet同时导电，并最小化死区时间。RAA220001具有10kΩ集成高侧门源电阻，以防止由于高输入总线dV/dt而引起的自开。
应用
高轻载效率稳压器
高级微处理器的核心调节器
大电流DC/DC转换器
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