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PhotoMOS(MOSFET输出光电耦合器)

时间:2022-08-20 09:58:21浏览次数:70  
标签:HSSR MOSFET PhotoMOS MOS 型光 导通 通态 40 耦合

图片 商品型号 制造商 描述 关键参数
HSSR-DA01 华联

光MOS输出型光耦

数据手册

封装形式:DIP8

负载电压:400V

连续通态电流:120mA

通道数:2

最大导通电阻:30Ω

工作温度:-40~85℃

介质耐压:5000

HSSR-DA01-2 华联

光MOS输出型光耦

数据手册

封装形式:SOP8

负载电压:400V

连续通态电流:120mA

通道数:2

最大导通电阻:30Ω

工作温度:-40~85℃

介质耐压:5000

HSSR-DA04 华联

光MOS输出型光耦

数据手册

封装形式:DIP8

负载电压:600V

连续通态电流:100mA

通道数:2

最大导通电阻:40Ω

工作温度:-40~85℃

介质耐压:5000

HSSR-DA04-2 华联

光MOS输出型光耦

数据手册

封装形式:SOP8

负载电压:600V

连续通态电流:100mA

通道数:2

最大导通电阻:40Ω

工作温度:-40~85℃

介质耐压:5000

HSSR-DA05 华联

光MOS输出型光耦

数据手册

封装形式:DIP8

负载电压:60V

连续通态电流:500mA

通道数:2

最大导通电阻:1Ω

工作温度:-40~85℃

介质耐压:5000

HSSR-DA05-2 华联

光MOS输出型光耦

数据手册

封装形式:SOP8

负载电压:60V

连续通态电流:500mA

通道数:2

最大导通电阻:1Ω

工作温度:-40~85℃

介质耐压:5000

HSSR-41A01 华联

光MOS输出型光耦

数据手册

封装形式:DIP4

负载电压:400V

连续通态电流:120mA

通道数:1

最大导通电阻:30Ω

工作温度:-40~85℃

介质耐压:5000

HSSR-41A01-2 华联

光MOS输出型光耦

数据手册

封装形式:SOP4

负载电压:400V

连续通态电流:120mA

通道数:1

最大导通电阻:30Ω

工作温度:-40~85℃

介质耐压:5000

HSSR-41A04 华联

光MOS输出型光耦

数据手册

封装形式:DIP4

负载电压:600V

连续通态电流:100mA

通道数:1

最大导通电阻:40Ω

工作温度:-40~85℃

介质耐压:5000

HSSR-41A04-2 华联

光MOS输出型光耦

数据手册

封装形式:SOP4

负载电压:600V

连续通态电流:100mA

通道数:1

最大导通电阻:40Ω

工作温度:-40~85℃

介质耐压:5000

HSSR-41A05 华联

光MOS输出型光耦

数据手册

封装形式:DIP4

负载电压:60V

连续通态电流:500mA

通道数:1

最大导通电阻:1Ω

工作温度:-40~85℃

介质耐压:5000

HSSR-41A05-2 华联

光MOS输出型光耦

数据手册

封装形式:SOP4

负载电压:60V

连续通态电流:500mA

通道数:1

最大导通电阻:1Ω

工作温度:-40~85℃

介质耐压:5000

HSSR-61A01 华联

光MOS输出型光耦

数据手册

封装形式:DIP6

负载电压:400V

连续通态电流:130mA

通道数:1

最大导通电阻:30Ω

工作温度:-40~85℃

介质耐压:5000

HSSR-61A01-2 华联

光MOS输出型光耦

数据手册

封装形式:SOP6

负载电压:400V

连续通态电流:130mA

通道数:1

最大导通电阻:30Ω

工作温度:-40~85℃

介质耐压:5000

HSSR-61A04 华联

光MOS输出型光耦

数据手册

封装形式:DIP6

负载电压:600V

连续通态电流:100mA

通道数:1

最大导通电阻:40Ω

工作温度:-40~85℃

介质耐压:5000

HSSR-61A04-2 华联

光MOS输出型光耦

数据手册

封装形式:SOP6

负载电压:600V

连续通态电流:100mA

通道数:1

最大导通电阻:40Ω

工作温度:-40~85℃

介质耐压:5000

HSSR-61A05 华联

光MOS输出型光耦

数据手册

封装形式:DIP6

负载电压:60V

连续通态电流:500mA

通道数:1

最大导通电阻:1Ω

工作温度:-40~85℃

介质耐压:5000

HSSR-61A05-2 华联

光MOS输出型光耦

数据手册

封装形式:SOP6

负载电压:60V

连续通态电流:500mA

通道数:1

最大导通电阻:1Ω

工作温度:-40~85℃

介质耐压:5000

HSSR-S1A0A-2 华联

光MOS输出型光耦

数据手册

封装形式:SOP4

负载电压:30V

连续通态电流:1800mA

通道数:1

最大导通电阻:100Ω

工作温度:-40~105℃

介质耐压:3750

HSSR-S1A01-2 华联

光MOS输出型光耦

数据手册

封装形式:SOP4

负载电压:400V

连续通态电流:100mA

通道数:1

最大导通电阻:30Ω

工作温度:-40~105℃

介质耐压:3750

HSSR-S1A04-2 华联

光MOS输出型光耦

数据手册

封装形式:SOP4

负载电压:600V

连续通态电流:100mA

通道数:1

最大导通电阻:20Ω

工作温度:-40~105℃

介质耐压:3750

HSSR-S1A05-2 华联

光MOS输出型光耦

数据手册

封装形式:SOP4

负载电压:60V

连续通态电流:500mA

通道数:1

最大导通电阻:0.5Ω

工作温度:-40~105℃

介质耐压:3750

HSSR-S1A08-2 华联

光MOS输出型光耦

数据手册

封装形式:SOP4

负载电压:60V

连续通态电流:800mA

通道数:1

最大导通电阻:0.5Ω

工作温度:-40~105℃

介质耐压:3750

标签:HSSR,MOSFET,PhotoMOS,MOS,型光,导通,通态,40,耦合
From: https://www.cnblogs.com/icaowu/p/16607192.html

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