标签:HSSR MOSFET PhotoMOS MOS 型光 导通 通态 40 耦合
图片 |
商品型号 |
制造商 |
描述 |
关键参数 |
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HSSR-DA01 |
华联 |
光MOS输出型光耦
数据手册
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封装形式:DIP8
负载电压:400V
连续通态电流:120mA
通道数:2
最大导通电阻:30Ω
工作温度:-40~85℃
介质耐压:5000
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HSSR-DA01-2 |
华联 |
光MOS输出型光耦
数据手册
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封装形式:SOP8
负载电压:400V
连续通态电流:120mA
通道数:2
最大导通电阻:30Ω
工作温度:-40~85℃
介质耐压:5000
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HSSR-DA04 |
华联 |
光MOS输出型光耦
数据手册
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封装形式:DIP8
负载电压:600V
连续通态电流:100mA
通道数:2
最大导通电阻:40Ω
工作温度:-40~85℃
介质耐压:5000
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HSSR-DA04-2 |
华联 |
光MOS输出型光耦
数据手册
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封装形式:SOP8
负载电压:600V
连续通态电流:100mA
通道数:2
最大导通电阻:40Ω
工作温度:-40~85℃
介质耐压:5000
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HSSR-DA05 |
华联 |
光MOS输出型光耦
数据手册
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封装形式:DIP8
负载电压:60V
连续通态电流:500mA
通道数:2
最大导通电阻:1Ω
工作温度:-40~85℃
介质耐压:5000
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HSSR-DA05-2 |
华联 |
光MOS输出型光耦
数据手册
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封装形式:SOP8
负载电压:60V
连续通态电流:500mA
通道数:2
最大导通电阻:1Ω
工作温度:-40~85℃
介质耐压:5000
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HSSR-41A01 |
华联 |
光MOS输出型光耦
数据手册
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封装形式:DIP4
负载电压:400V
连续通态电流:120mA
通道数:1
最大导通电阻:30Ω
工作温度:-40~85℃
介质耐压:5000
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HSSR-41A01-2 |
华联 |
光MOS输出型光耦
数据手册
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封装形式:SOP4
负载电压:400V
连续通态电流:120mA
通道数:1
最大导通电阻:30Ω
工作温度:-40~85℃
介质耐压:5000
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HSSR-41A04 |
华联 |
光MOS输出型光耦
数据手册
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封装形式:DIP4
负载电压:600V
连续通态电流:100mA
通道数:1
最大导通电阻:40Ω
工作温度:-40~85℃
介质耐压:5000
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HSSR-41A04-2 |
华联 |
光MOS输出型光耦
数据手册
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封装形式:SOP4
负载电压:600V
连续通态电流:100mA
通道数:1
最大导通电阻:40Ω
工作温度:-40~85℃
介质耐压:5000
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HSSR-41A05 |
华联 |
光MOS输出型光耦
数据手册
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封装形式:DIP4
负载电压:60V
连续通态电流:500mA
通道数:1
最大导通电阻:1Ω
工作温度:-40~85℃
介质耐压:5000
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HSSR-41A05-2 |
华联 |
光MOS输出型光耦
数据手册
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封装形式:SOP4
负载电压:60V
连续通态电流:500mA
通道数:1
最大导通电阻:1Ω
工作温度:-40~85℃
介质耐压:5000
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HSSR-61A01 |
华联 |
光MOS输出型光耦
数据手册
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封装形式:DIP6
负载电压:400V
连续通态电流:130mA
通道数:1
最大导通电阻:30Ω
工作温度:-40~85℃
介质耐压:5000
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HSSR-61A01-2 |
华联 |
光MOS输出型光耦
数据手册
|
封装形式:SOP6
负载电压:400V
连续通态电流:130mA
通道数:1
最大导通电阻:30Ω
工作温度:-40~85℃
介质耐压:5000
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HSSR-61A04 |
华联 |
光MOS输出型光耦
数据手册
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封装形式:DIP6
负载电压:600V
连续通态电流:100mA
通道数:1
最大导通电阻:40Ω
工作温度:-40~85℃
介质耐压:5000
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HSSR-61A04-2 |
华联 |
光MOS输出型光耦
数据手册
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封装形式:SOP6
负载电压:600V
连续通态电流:100mA
通道数:1
最大导通电阻:40Ω
工作温度:-40~85℃
介质耐压:5000
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HSSR-61A05 |
华联 |
光MOS输出型光耦
数据手册
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封装形式:DIP6
负载电压:60V
连续通态电流:500mA
通道数:1
最大导通电阻:1Ω
工作温度:-40~85℃
介质耐压:5000
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HSSR-61A05-2 |
华联 |
光MOS输出型光耦
数据手册
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封装形式:SOP6
负载电压:60V
连续通态电流:500mA
通道数:1
最大导通电阻:1Ω
工作温度:-40~85℃
介质耐压:5000
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HSSR-S1A0A-2 |
华联 |
光MOS输出型光耦
数据手册
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封装形式:SOP4
负载电压:30V
连续通态电流:1800mA
通道数:1
最大导通电阻:100Ω
工作温度:-40~105℃
介质耐压:3750
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HSSR-S1A01-2 |
华联 |
光MOS输出型光耦
数据手册
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封装形式:SOP4
负载电压:400V
连续通态电流:100mA
通道数:1
最大导通电阻:30Ω
工作温度:-40~105℃
介质耐压:3750
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HSSR-S1A04-2 |
华联 |
光MOS输出型光耦
数据手册
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封装形式:SOP4
负载电压:600V
连续通态电流:100mA
通道数:1
最大导通电阻:20Ω
工作温度:-40~105℃
介质耐压:3750
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HSSR-S1A05-2 |
华联 |
光MOS输出型光耦
数据手册
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封装形式:SOP4
负载电压:60V
连续通态电流:500mA
通道数:1
最大导通电阻:0.5Ω
工作温度:-40~105℃
介质耐压:3750
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HSSR-S1A08-2 |
华联 |
光MOS输出型光耦
数据手册
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封装形式:SOP4
负载电压:60V
连续通态电流:800mA
通道数:1
最大导通电阻:0.5Ω
工作温度:-40~105℃
介质耐压:3750
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标签:HSSR,
MOSFET,
PhotoMOS,
MOS,
型光,
导通,
通态,
40,
耦合
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