开篇你是否曾对CPU的工作原理充满好奇，以及简单的晶体管又是如何组成逻辑门，进而构建出复杂的逻辑电路实现？本文将以知名的6502CPU的电路图为例，介绍如何阅读CPU电路图，并向你演示如何从晶体管电路还原出逻辑门电路。通过这篇文章的引导，你将能够揭开CPU复杂设计的面纱，一窥其

产品概述DK5V120R15ST1是一款简单高效率的同步整流芯片，只有A，K两个功能引脚，分别对应肖特基二极管PN管脚。芯片内部集成了120V功率NMOS管，可以大幅降低二极管导通损耗，提高整机效率，取代或替换目前市场上等规的肖特基整流二极管。DK5V120R15ST1采用TO-220F封装。主要特点

相关教材多提及NMOS，这里主要探讨PMOS电流方向的理解记忆。首先理解大信号下的公式：对于NMOS，可以发现ID与电压的参考方向为由D(G)+S-，一致则公式前无需负号。而对于PMOS，不妨将NMOS的推导过程视为一个传函，对于NMOS认为输入为电子，对于PMOS认为输入为空穴，则等效于认为在NMOS

在我们的日常使用中,MOS就是个纯粹的电子开关虽然MOS管也有放大作用,但是几乎用不到,只用它的开关作用一般的电机驱动,开关电源,逆变器等大功率设备,全部使用MOS管作为电子开关使用起来比较方便经常用到的是N沟道的MOS管,与三极管不同,MOS管为电压型驱动方式,小电压控制

目录目录什么是MOS管作用和应用工作原理其他类型什么是MOS管MOS管（Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor，金属氧化物半导体场效应晶体管）是另一种重要的半导体器件，其作用和工作原理如下：以下为MOS管的原理图：作用和应用放大作用：MOSFET可以用作信号放大器。通

MOSFET是一个四端器件（栅极、源极、漏极、衬底）。衬底一般连接到一个直流电源端:  NMOS的衬底接地GND，PMOS的衬底接高电平VDD。(为了使得MOS管中的PN结零偏或反偏，尽管如此，二极管的结电容也会对电路产生影响) （PN结正偏不仅会形成通路，也会导致结电容急剧增大C=ES/D）NMOS：1.p型

NativeMOS实际就是阈值电压接近为零的管子，实际上就是耗尽管。这种NativeMOS管一般只会用来做电容，用它做电容的好处在于，以NMOS为例，gate电压只要大于阈值电压，那么电容都等于Gate电容。而标准NMOS，当gate电压小于阈值电压的时候，NMOS电容等于gate电容和沟道耗尽层电容的串联，是电容值

GPIO模式输出模式推挽输出用PMOS和NMOS协同工作电压输出为VDD和VSS芯片内部电压驱动驱动能力弱开漏输出只有NMOS工作NMOS断低通高借助外部电压驱动复用推挽输出复用开漏输出为什么复用？引脚除了输入同时还可以做片上外设（I2C、SPI等）输入模式上拉输入默认为高电平

欢迎各位朋友关注“郝旭帅电子设计团队”，本微信公众号会定时更新相关技术类资料、软件等等，希望各位朋友都能在本微信公众号获得一些自己想要的“东西”。          非门原理图中上面是PMOS（控制端带有小圆圈是PMOS，给予低电平导通），下面是NMOS（给予高电平导通）。当A端为

在上图中，红圈中的NMOS，它们的Bulk端没有接到地，而是接到各自的Source端，这种情况下，Layout应该怎么画呢？首先，大致了解NMOS的Bulk端为什么不接地，而是接到Source？在有些电路设计中，NMOS的Vth太大，NMOS管不能正常工作，为了减少Vth（阈值电压），可能会使用低Vth的NMOS，在工艺允许时，也可能使用减少体

在当今日新月异的电子科技领域，功率开关电路的设计和应用对于整个系统的性能至关重要。PW2202硅N沟道增强型VDMOSFET以其独特的优势和卓越的性能，在各类功率开关电路中发挥着不可替代的作用。接下来，我们将从描述、特点和应用三个方面，深入剖析PW2202的优异表现。首先，PW2202硅N沟道增

 首先：输出端为带电容那端。采用电容来模拟输出负载的原因：1.MOS的输出后面还会接其他MOS管的栅极，栅极和源、漏之间为直流开路状态。                           2.栅极和源、漏以及沟道之间类似于一个电容的结构。 

NMOS、PMOS和三极管MOS管mos管是一种可以通过电压控制的开关。NMOSnmos结构图：nmos的工作原理是：当gs之间存在正压差时，靠近氧化硅侧就会聚集电子，形成导通。nmos的几大参数：Vgsth（GateThresholdVoltage，栅极阈值电压）：打开nmos需要的gs电压，为正向电压，即g点电势高于s的值。Rdso

IR2104详解从NMOS到电机驱动关键词：NMOS、半桥、死区、自举升压目录基础知识NMOS半桥IR2104简介芯片参数引脚定义应用电路详解工作原理自举死区总结页面内跳转文件的纯文本引入：IR2104是我上手的第一个半桥栅极驱动芯片，使用两片IR2104就可以搭建一个

最后修改日期：2023/10/13简介在CMOS模拟版图中，常常用GuardRing将若干个MOS管（一般来说，一个GuradRing内部的MOS管都是同型的，即都是PMOS/NMOS）包围起来，起到保护作用。在芯片layout设计时，在面积允许的情况下要多放置一些GuardRing，以提高芯片的性能。GuardRing在layout中的形式

 一：概述电源的输入接口，为了防止误操作，将电源的正负极接反，对电路造成损坏，一般会进行防护，通常采用的方式如保险丝、二极管、mos管等方式进行防反。二：方式介绍1.保险丝保护描述：很多常见的电子产品，拆开后可以看到电源部分加了保险丝，在电源接反时，电路中短路导致大电流从而熔断

在推导之前，先来插入一个不是那么容易想到的事情，我们都非常熟悉NMOS的小信号模型，尤其是拉扎维的这个图：不知道多少人认为这个是NMOS的小信号模型图，其实这个是NMOS/PMOS的小信号模型图，PMOS的模型图应该长这样：其实将拉扎维的图稍微整理一下：对于PMOS：所以分析PMOS的小信号非常简

pmosId-Uds nmosId-Uds  

逻辑门电路CMOS逻辑门电路的不同输出结构及参数CMOS漏极开路门和三态输出门电路漏极开路门工程时，我们有时需要将两个门的输出端并联实现与逻辑（此功能成为线与）。但我们

CMOS门电路TTL是三极管构成的门电路，逐步被CMOS电路替代。CMOS电路能耗低、集成度高。CMOS反相器CMOS管是由PMOS和NMOS组成，这里用的都是使用的增强型。COMS能够正常工

在CMOS设计里，PMOS管和NMOS管同等重要，不过因为一般的电路设计书籍都注重NMOS管的讲解，PMOS都是直接类比NMOS，所以让人不太清楚PMOS的工作原理。1.端口不同PMOS和NMOS的源漏

MOS晶体管有一个很有用处的特性-双向性。因为它的源和漏是完全一样的，可以互相交换工作。当栅极上加了超过阀值电压的栅压时，随着源、漏之间电压极性不同，电流可以从左边流到