现代电子设计在降低功耗、降低电源电压水平和提高速率方面的趋势要求结合SI-PI共同仿真。需要把PDN的每个部分都应仔细建模，并设计为使I/O驱动器看到的输入阻抗最小化。然后应将PDN与信道模型相结合，通过考虑PDN的影响，如电源引起的抖动和电源导轨上引起的纹波，实现输出眼图的准确

系列概述VersalHBM系列具有快速内存、安全连接和自适应计算的异构集成，可消除内存绑定的计算密集型工作负载（如机器学习、数据库加速、下一代防火墙和高级网络测试仪）的处理和内存瓶颈。它从底层开始构建，以适应不断发展的算法、协议和数据速率。与VersalPremium系列*相比，通过集

依公知及经验整理，原创保护，禁止转载。专栏《深入理解DDR》全文3300字。1概念1.1什么是HBMTSV使用TSV堆叠多个DDRDRAM成为一块HBM,成倍提高了存储器位宽，一条位宽相当于高速公路的一条车道，车道越多，在相同的车速下，传输运输量自然越大。1.2TSV优点（1）高密

在过去的十年里，数据中心和服务器行业经历了前所未有的扩张，这一进程伴随着CPU核心数量、内存带宽(BW)，以及存储容量的显著增长。这种超大规模数据中心的扩张不仅带来了对计算能力的急剧需求，也带来了前所未有的内存功率密度挑战，类似于移动设备中遇到的问题。因此，提高DRAM的能效成