刚学的时候这个问题困扰了我很长时间，通过查阅很多资料，找到了一个相对详细且合理的解释，加上自己的一些思考，现在，算是差不多明白了，所以，写下这篇文章，为以后同样困惑于这个问题的同学提供一个思路。首先，提出这样的问题的同学，可以肯定的是你很细心，发现了这个点，但是现在的很多视频和

一直想琢磨开关管的器件选型，但一直不知道从哪里下手。最近有幸获得了一些启发，就决定先从材料方面入手，好好聊聊不同材料开关管的器件选型。概念CoolMOS是一种高性能的功率MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管），由英飞凌科技公司（InfineonTechnologies）开发并推向市场，主要使用单

三极管的电流放大原理是基于其内部结构和电流分配机制来实现的。这一原理主要涉及三个电极：发射极（E）、基极（B）和集电极（C），以及它们之间的相互作用。以下是三极管电流放大原理的详细解析：一、三极管的结构三极管由两个PN结组成，即发射结和集电结，它们分别由发射极与基极之间、基极与集

    二极管具有电流单向导通的特性，二极管可大致分为半导体二极管和真空二极管。半导体二极管是制作在半导体材料上的，并不具有实际的管状结构，而早期的二极管却真真切切地是被制作在玻璃管中的，它的工作原理也和半导体二极管不同。    1873年，弗雷德里克·格思里（Fr

    三极管（也称晶体管），全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件。    晶体三极管的主要作用是放大和控制电流或电压。其放大作用是通过控制输入信号的小变化来改变输出信号的大变化。而控制作用是根据输入信号的大小和类

《半导体物理学（第八版）》10min速通金属与半导体的接触7.1金属与半导体的接触及其能带图7.1.1金属和半导体的功函数7.1.2接触电势差7.1.3表面态对接触势垒的影响7.2金属半导体接触整流理论7.2.1扩散理论7.2.2热电子发射理论7.2.3镜像力和隧道效应的影响7.2.4