《半导体物理学（第八版）》10 min 速通 金属与半导体的接触
快期末考试了，杜老师说这些 比较重要，我就简单 画了下图。还有两周（17周考试）
7.1 金属与半导体的接触及其能带图
7.1.1 金属和半导体的功函数
- 金属功函数：是指起始能量等于费米能级的电子，由金属内部逸出到真空中所需要的最小能量。它的大小与金属的原子序数和表面状况有关。
- 半导体功函数：是指真空能级与半导体费米能级之差。半导体的功函数与杂质浓度有关，因为杂质浓度会改变费米能级。
W m = E 0 + ( E F ) m W_{m}=E_{0}+(E_{F})_{m} Wm=E0+(EF)m
金属功函数的定义是E0和Ef的最小能量差
功函数的起始能量等于费米能级的电子，由金属内部溢出到真空中所需要的最小能量。
W
s
=
E
0
+
(
E
F
)
s
W_{s}=E_{0}+(E_{F})_{s}
Ws=E0+(EF)s
半导体功函数为E0和费米能级之差，类似于金属。
7.1.2 接触电势差
当金属与半导体接触时，由于两者功函数的不同，会在接触界面处形成一个电势差，即接触电势差。这种电势差会导致电子从功函数较小的一方流向功函数较大的一方，直到达到动态平衡。接触电势差的大小取决于金属的功函数、半导体的电子亲和能以及两者的界面状态。
| ----- | n型 | p型 |
|---|---|---|
| Wm > Ws | 阻挡层 | 反阻挡层 |
| Wm < Ws | 反阻挡层 | 阻挡层 |
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