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1N5822在DO-41封装里采用的1个芯片，其尺寸都是32MIL，是一款轴向低压降肖特基二极管。1N5822的浪涌电流Ifsm为80A，漏电流(Ir)为2.0mA，其工作时耐温度范围为-65~125摄氏度。1N5822采用金属硅芯片材质，里面有1颗芯片组成。1N5822的电性参数是：正向电流(Io)为3A，反向耐压为40V，正向电压(VF)为0.52V，其中有2条引线。
1N5822参数描述
型号：1N5822
封装：DO-41
特性：轴向低压降肖特基二极管
电性参数：3A 40V
芯片材质：金属硅芯片
正向电流(Io)：3A
芯片个数：1
正向电压(VF)：0.52V
芯片尺寸：32MIL
浪涌电流Ifsm：80A
漏电流(Ir)：2.0mA
工作温度：-65~+125℃
引线数量：2
1N5822轴向封装系列。它的本体长度为9.5mm，加引脚长度为60.3mm，宽度为5.6mm，高度为5.6mm，脚宽度为1.3mm。
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