floorplan macro摆放规则
本篇文章主要就floorplan阶段进行macro摆放规则进行相关的讨论。
- 先进工艺对poly方向有要求, 注意memory的orientation;
- 不同power domain的memory, 摆到相应的voltage area;
- 注意memory间的间距至少要放下一组VDD, VSS, 避免IR-Drop问题;
- memory摆放考虑数据流, 需要和前端理清交互关系;
- memory尽量摆在block边界, 给std cell留出完整的布局和绕线资源, 对IR也比较友好;
- memory之间的通道加blockage, 保证可以插buf, 避免造成congestion问题, 以及避免std cell抢占绕线资源和供电电流;
- memory周围加routing blockage, 保证IO足够绕线资源;
- memory加halo, 保证memory周围不放cell, 加成site宽度,高度整数倍, 避免工具snap, 同时规避潜在DRC;
- memory尽量不要挡住port;
标签：绕线,floorplan,macro,摆放,cell,memory From： https://blog.csdn.net/qq_44952804/article/details/144543523