单片机-Flash动态自保存

         说明：该方法为固定大小的数据包方式进行记录，写满一页后再擦除设定页从新记录，增加Flash使用寿命。

        环境需求：Flash需要 可程序读写。

        以STM32，中容量为例（HAL库方式）。

        注意事项：避开程序空间，注意页的大小有的为1K，有的为2K按需分配。

         简单说明：       

                以下表为例，主存储块 的 页255，0x0807 F800为地址的开始，0x0807 FFFF为地址的结束，大小为2K，2K的地址为0x800（0x0808 0000-0x0807 F800 = 0x800）区间。 

程序流程图：

 flash.h 文件内容：

#ifndef __FLASH_H
#define __FLASH_H

#include "main.h"

//flash存储地址
#define StartFlashAddress    ((u32)0x0801f000)  //读写起始地址

#define FLASH_DATA_GROUP_SIZE  28    //所有需要FLASH的数据字节大小，尽量凑双，
//地址结构体
typedef struct{
    uint32_t Current_Write_Address;
    uint32_t AddressTail_Sta;
}Flash_Def;

//Flash记录集
typedef struct{
    uint16_t Set_Place_Point;
    uint16_t Set_function;
    uint16_t Set_Distance_Left; 
    uint16_t Set_Distance_Right;
    uint16_t Set_BackLimit;
    uint16_t Set_TurnLimit;
    
    uint32_t WorkdayAlarmStartPoint;
    uint32_t WorkdayAlarmStopPoint;
    uint32_t DayOffAlarmStartPoint;
    uint32_t DayOffAlarmStopPoint;
}Flash_Data;
//初始化 执行函数
void First_Launches_Flash_Process(void);
//大循环执行函数
uint16_t Auto_Write_Flash(void);
#endif /* __FLASH_H */

 flash.c 文件内容：

#include "flash.h"
//用于传递所需的全局变量，用户自行更改
#include "main_combine.h"
#include "bsp_rtc.h"
//地址头
#define MEMORY_FLASH_START_ADDRESS 0x0803F800
//获取未地址 FLASH_PAGE_SIZE 库文件带有，如果没有就按照文章开头的计算公式计算
//FLASH_PAGE_SIZE / FLASH_DATA_GROUP_SIZE * FLASH_DATA_GROUP_SIZE取整运算计算，不能消消乐
#define MEMORY_FLASH_STOP_ADDRESS 0x0803F800 + FLASH_PAGE_SIZE / FLASH_DATA_GROUP_SIZE * FLASH_DATA_GROUP_SIZE

//Flash用户地址变量
Flash_Def Flash_SoftWare_REG;
//擦除出错地址记录
uint32_t ErasePageError_Addr;
//数据结构体，和用户数据一样大小
Flash_Data OldFlashData;

/**
  * @功能		    上电初始化数据记录。刷新所有事件
  * @输入变量	    
  * @输出变量	    
  * @参数			
  */
void OldFlashData_Init(void){
//我个人需要Flash的数据，用户按照自己的添加
    OldFlashData.Set_Place_Point = Set_Place_Point;
    OldFlashData.Set_function = Set_function;
    OldFlashData.Set_Distance_Left = Set_Distance_Left;
    OldFlashData.Set_Dista