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三星 NAND FLASH命名规范 Samsung NAND Flash Code Information

时间:2024-07-09 14:51:58浏览次数:9  
标签:Information 封装 容量 芯片 Flash NAND Dual 256Mb

一共有三页,介绍了前面主要的编号和横杠后面的编号,当前文档只关注前面的编号。

从前面的命名规范中可以得知当前芯片的容量、技术等概要信息,对芯片有一个整体了解。

详细解释

Small Classification

表示存储单元的类型和应用,比如

SLC 1 Chip XD Card

表示是SLC的,包含1个Chip的XD图像卡,eXtreme Digital Card是一种于2002年推出的存储卡格式,主要用于数码相机和其他便携式设备。

Density

表示当前型号的颗粒的容量,注意是bit。一个存储芯片可以挂多个颗粒,一起组成了芯片的容量。比如K9F5608U0D,56对应256Mb,也就是32MB,如果是四块,那么芯片就是32x4=128MB,那么这个固态硬盘或U盘就是128MB的。

Technology

表示颗粒制作封装工艺,比如

moviMCP 移动多芯片封装(Mobile Multi-Chip Package)

是三星针对移动设备开发的封装技术,可以将多个NAND闪存芯片封装在一个小型封装内

Organization

是指颗粒的排列方式。比如K9F5608U0D,56表示256Mb,8表示x8,也就是256Mb的容量分成8个平面,一个平面有256/8=32Mb的存储单元

Mode

可以的模式,比如

Dual nCE & Dual R/nB

双NAND控制器通道双读写缓冲区,这是一种高级操作模式,通过同时利用两个NAND控制器通道(nCe)来增强数据传输性能。该模式支持并发读(R)和写(nB/nand buffer)操作,从而显著提高整体吞吐量。

Generation

应该表示是第几代产品

例子一


这是从网上找的一个材料,我们一一对应解析一下。
K-存储
9-NAND Flash
F-SLC Normal
56-当前型号的颗粒容量,256Mb,注意,这里是bit,小b
0-Technology,Normal
8-Organization,x8
U-电压,2.7V~3.6V
0-Mode,Normal
D-Generation,5th

例子二

这里和上面一样,都可以一一对应,不过容量是512MBX2,为什么呢,我们可以看到起容量是8Gb=8Gb/8=1GB,其Mode是1,表示Dual nCE & Dual R/nB,我们上面介绍了,这个是双通道,也就是512MBx2。

标签:Information,封装,容量,芯片,Flash,NAND,Dual,256Mb
From: https://www.cnblogs.com/studywithallofyou/p/18291633

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