存储器原理以及介绍

ROM、RAM是可读与可读可写存储器的一种框架，DRAM、SRAM、SDRAM是基于RAM框架的一种实现 ROM: 掉电不丢失,比如电脑的硬件磁盘 RAM: 掉电就会丢失,作为ROM与客户进行交互时提高反馈效率的一个中间介质,类似的还有Cache DRAM: 全拼Dynamic Random Access Memory (动态随机存储器) SRAM: 全拼Static Random Access Memory (静态随机存储器) SDRAM: 全拼Synchronous Dynamic Random Access Memory(同步动态随机存储器) FLASH : 是一种非易失闪存技术, 可以随机读写, 同时也能掉电不丢失

ROM{
    /*
        //ROM全拼是Read Only Memo (只读存储器), 它是只读的,一旦出厂不能再写
        //在出厂之前会预设好它的数,并且它是掉电不丢失的,又称为固定存储器
        //它使用一些特定材料存储数据
        //这里以磁盘为列简单说一下原理{
            /*
                磁盘里面使用一些磁材料存储数据，
                当对内部导体进行导通时会导致内部磁场发生变化，
                会让内部的磁极根据电流的方向而产生改变，
                发生的改变不会因为没有电流而消失，
                这个改变是永久的，当下次来读时只需要将上次的变化转化成对应的电流变化，
                这个过程较为复杂，涉及到一些磁信号到电信号的转换，速度相对于较慢，
                同时如果受到一些磁场较大的一些设备影响会导致里面的磁信号混乱，也就是数据混乱。
 
            */                                               
        }
    */     
}

RAM{
    /*
        //RAM全拼是Random Access Memory (随机存取存储器)
        //它可读可写，它是掉电丢失的,它里面的数据是非初始化的,使用之前需要对它进行一次初始化
        //因为上电后无法确定RAM里的数据是什么
        //为了防止使用时出现随机数的情况需要对其进行初始化为0
        //它是使用电容作为存储单位,电容存储的电荷会随时间的流逝还消失
        //存储器需要每隔一段时间给存储器内部的电容器进行一行充电或者一直保持充电状态
        //会根据电容的电平值以及当前使用的电平标准来提升电容的电荷
        //它的访问速度较快,因为它只需要读取电容里的电荷值然后转化成对应的数字电路就可以了
        //其实当断电的一瞬间其实里面还是有数据的
        //只不过随着时间的流逝没有芯片给这些电容器充电了会导致里面的电荷随之流逝

    */
}

DRAM{
    /*
        //DRAM全拼Dynamic Random Access Memory (动态随机存储器)
        //它是基于RAM框架,有了上面的RAM框架的介绍,DRAM就比较容易理解了
        //DRAM使用MOS (金属氧化物半导体)电容存储电荷来储存信息
        //因此必须通过不停的给电容充电来维持信息
        //DRAM只是RAM的一种实现手段,所谓的动态就是指周期性的动态给里面的电容充一次电
        //它需要在更新前获取每个电容的电平信号是1还是0然后根据电路进行对每个电容的刷新
        //上面说过RAM是电容来存储数据的,DRAM保存电容的方式就是动态更新
        //当控制信号来时若此时正在更新电荷则等待电荷更新完成去处理控制信号
    */
}

SRAM{
    /*
        //SRAM全拼Static Random Access Memory (静态随机存储器)
        //SRAM与DRAM类似,,它不会动态式的充电,它使用晶体管的特性来存储数据
        //晶体管是可以根据电流来控制自身开合
        //利用这一特性可以通过外接线来获取晶体管状态来返回对应数字信号
        //这样就不需要实时更新只需要一直向它发送特定的电流就可以了
    */    
}

DRAM与SRAM的区别{
    SRAM{
        //SRAM成本要高,尺寸要求较大,因为SRAM需要更多的引脚来存储数据
        //一个引脚用来接VDD电流控制晶体管开合,一个引脚来取状态并转化对应的数字信号等
        //但是它不需要动态时的刷新对时钟以及实时性没有太大的要求,所以功耗较低
        //其次它速度要快于DRAM因为它不需要动态刷新,在动态刷新期间DRAM是不能存取数据的
        //所以平时见到的CPU一级与二级缓存,用的就是它,它可以随时存取,价格较贵
    }

    DRAM{
        //DRAM对尺寸要求较小,对引脚要求较小,几乎一根线就可以了
        //一根线用于取以及更新电荷,它需要动态刷新
        //也就是需要时钟来定时中断,对实时性有要求,功耗较高,价格较为便宜
    }

}

SDRAM{
    /*
        //SDRAM全拼Synchronous Dynamic Random Access Memory(同步动态随机存储器)
        //注意它不是SRAM与DRAM的结合,它是同步的,基于DRAM结构的
        //DRAM的输入输出不是同步的,是异步的
        //DRAM提供了一个异步接口,用于DRAM响应工作,读写等
        //SDRAM则提供了一个同步接口,用这个接口来完成同步操作
    */    
}

FLASH{
    /*
        //FLASH全拼是Flash Memory(闪存)
        //是一种非易失闪存技术,可以随机读写,同时也能掉电不丢失
        //至于具体如何保存数据需要看不同厂商对FLASH的设计
        //若使用了磁铁来存储数据就需要注意一些不要将存储器带到可能对磁信号产生影响的一些地方
    */
}