RAM、ROM、SRAM、DRAM、FLASH等常见存储器学习记录

存储器按照掉电失去数据分为两类：易失性和非易失性。

RAM：随机存取存储器（英语：Random Access Memory，缩写：RAM），也叫主存，是与CPU直接交换数据的内部存储器。它可以随时读写（刷新时除外），而且速度很快，通常作为操作系统或其他正在运行中的程序的临时数据存储介质。RAM工作时可以随时从任何一个指定的地址写入（存入）或读出（取出）信息。它与ROM的最大区别是数据的易失性，即一旦断电所存储的数据将随之丢失。RAM在计算机和数字系统中用来暂时存储程序、数据和中间结果。

SRAM:静态随机存取存储器（Static Random-Access Memory，SRAM）是随机存取存储器的一种。所谓的“静态”，是指这种存储器只要保持通电，里面储存的数据就可以恒常保持。相对之下，动态随机存取存储器（DRAM）里面所储存的数据就需要周期性地更新。然而，当电力供应停止时，SRAM储存的数据还是会消失（被称为volatile memory），这与在断电后还能储存资料的ROM或闪存是不同的。

DRAM：动态随机存取存储器（Dynamic Random Access Memory，DRAM）是一种半导体存储器，主要的作用原理是利用电容内存储电荷的多寡来代表一个二进制比特（bit）是1还是0。由于在现实中晶体管会有漏电电流的现象，导致电容上所存储的电荷数量并不足以正确的判别数据，而导致数据毁损。因此对于DRAM来说，周期性地充电是一个无可避免的要件。由于这种需要定时刷新的特性，因此被称为“动态”存储器。相对来说，静态存储器（SRAM）只要存入数据后，纵使不刷新也不会丢失记忆。

SDRAM:同步动态随机存取内存（synchronous dynamic random-access memory，简称SDRAM）是有一个同步接口的动态随机存取内存（DRAM）。通常DRAM是有一个异步接口的，这样它可以随时响应控制输入的变化。而SDRAM有一个同步接口，在响应控制输入前会等待一个时钟信号，这样就能和计算机的系统总线同步。时钟被用来驱动一个有限状态机，对进入的指令进行管线(Pipeline)操作。这使得SDRAM与没有同步接口的异步DRAM(asynchronous DRAM)相比，可以有一个更复杂的操作模式。

DDR SDRAM：DDR=Double Data Rate双倍速率,DDR SDRAM=双倍速率同步动态随机存储器，人们习惯称为DDR，其中，SDRAM 是Synchronous Dynamic Random Access Memory的缩写，即同步动态随机存取存储器。而DDR SDRAM是Double Data Rate SDRAM的缩写，是双倍速率同步动态随机存储器的意思。

ROM: 只读存储器（Read-Only Memory，ROM）以非破坏性读出方式工作，只能读出无法写入信息。信息一旦写入后就固定下来，即使切断电源，信息也不会丢失，所以又称为固定存储器。ROM所存数据通常是装入整机前写入的，整机工作过程中只能读出，不像随机存储器能快速方便地改写存储内容。ROM所存数据稳定 ，断电后所存数据也不会改变，并且结构较简单，使用方便，因而常用于存储各种固定程序和数据。

PROM:可编程只读存储器 （英语：Programmable read-only memory），缩写为 PROM 或 FPROM，是一种电脑存储记忆晶片，它允许使用称为PROM编程器的硬件将数据写入设备中。在PROM被编程后，它就只能专用那些数据，并且不能被再编程这种记忆体用作永久存放程式之用。通常会用于电子游戏机、或电子词典这类可翻译语言的产品之上。

EPROM:可擦除可编程只读存储器(Erasable Programmable Read-Only Memory)由以色列工程师Dov Frohman发明，是一种断电后仍能保留数据的计算机储存芯片——即非易失性的（非挥发性）。它是一组浮栅晶体管，被一个提供比电子电路中常用电压更高电压的电子器件分别编程。一旦编程完成后，EPROM只能用强紫外线照射来擦除。通过封装顶部能看见硅片的透明窗口，很容易识别EPROM，这个窗口同时用来进行紫外线擦除。可以将EPROM的玻璃窗对准阳光直射一段时间就可以擦除。

EEPROM:EEPROM (Electrically Erasable Programmable read only memory)是指带电可擦可编程只读存储器。是一种掉电后数据不丢失的存储芯片。 EEPROM 可以在电脑上或专用设备上擦除已有信息，重新编程。一般用在即插即用。

FLASH:Flash是一种非易失性存储器，可以按块进行擦除和编程，而无需对整个芯片进行擦除。Flash存储器是较大容量的存储器，具有高速的读取和擦写操作，可以通过特定的接口进行编程。Flash存储器广泛用于可移动存储设备（如USB闪存驱动器）、固态硬盘、手机和其他嵌入式设备中。它是一种较为经济、便捷和可靠的存储器类型。分为 nand flash 和 nor flash 。

 下面对各类型存储器进行对比。

 总结：

ROM和RAM是不同类型的存储器。ROM是只读存储器，用于存储永久性数据和固定的程序代码，在计算机关闭后数据仍然保持不变。RAM是可读写的临时存储器，用于暂时存储数据和程序，在计算机关闭或断电时，数据会丢失。ROM提供永久性的存储和只读访问，而RAM提供临时的存储和随机读写访问。两者在计算机系统中扮演不同的角色，ROM用于存储固定的程序和数据，而RAM用于支持系统的实时运算。

总结：
SRAM以其快速的访问速度和低延迟而闻名，适合对性能要求高的应用。DRAM具有较高的存储容量，适用于主存储器等对容量要求较大的应用。SDRAM结合了SRAM和DRAM的特点，在DRAM的基础上通过同步时钟提供更高的性能。选择合适的存储器类型取决于系统的需求，包括性能要求、容量要求和应用场景。

 总结：
SDRAM和DDR SDRAM是两种不同的存储器类型，DDR SDRAM在SDRAM的基础上引入了数据双倍速率技术，以提供更高的数据传输速度和性能。DDR SDRAM主要用于计算机系统领域，而SDRAM主要应用于低功耗设备和消费电子产品。选择合适的存储器类型取决于系统的需求，包括性能要求、数据吞吐量和应用场景。

 总结：
PROM、EPROM和EEPROM是三种不同类型的存储器。PROM是只读存储器，一旦编程无法修改；EPROM可以多次编程，但擦除需要使用紫外线光；EEPROM可以在芯片内部进行擦除和编程操作。选择合适的存储器类型取决于应用需求，包括可擦写性、可编程性和擦除方式的要求。

 总结：
NAND Flash和NOR Flash是两种不同类型的闪存存储器，它们在结构、性能和应用方面具有一些不同。NAND Flash适用于大容量存储和高速连续读取，而NOR Flash适用于快速随机访问和即时执行的应用。选择合适的存储器类型取决于特定应用的要求，如存储容量、读写性能和访问方式等。

若有不对的地方，敬请指正，万分感谢。

参考资料：

1、 百度百科