基于KU115+ZU19EG+C6678的高性能6UVPX载板，板载2个HPC形式的FMC连接器（用于外部信号扩展）。板卡选用了1片Xilinx公司的KintexUltraScale系列FPGA家族中的XCKU115-2FLVA1517I和1片ZynqUltraScale+MPSoC家族的XCZU19EG-2FFVC1760I以及1片TI公司的DSP芯片T

正点原子新起点V2开发板FPGA关于SDRAM代码解读1.SDRAM概述SDRAM（SynchronousDynamicRandomAccessMemory）是一种同步动态随机存储器，广泛用于FPGA项目中。通过SDRAM控制模块，可以实现数据读写、刷新等操作。本文对SDRAM的控制模块进行详细解读，分析代码中的命令控制、数据传输、

SDRAM：同步动态随机存取存储器    SDRAM，全称为SynchronousDynamicRandomAccessMemory，即同步动态随机存取存储器，是一种广泛应用于计算机和嵌入式系统中的内存技术。以下是对SDRAM的详细介绍：一、SDRAM的定义与特点        SDRAM的定义：   SDRAM是一

实验背景在（四）中介绍了sdram读操作的实现和仿真过程，现在介绍读操作实现过程中出现的一些问题。实验内容介绍sdram控制器读模块的实现和仿真验证过程中的问题。实验步骤在（四）中，读操作的波形图如下：写数据正常，从sdram的sdram_dq（与读模块read_dq连接）端口读出的数据也是正确

实验背景在（三）中介绍了sdram写操作的实现和仿真过程，现在介绍读操作的实现和仿真验证。实验内容sdram控制器读模块的实现和仿真验证。实验步骤sdram读操作有多种方式，单数据读操作，突发读操作，以及读后是否进行预充电等，这里介绍读操作后自动进行预充电的单数据读操作，手册中

DDR=DoubleDataRate双倍速率,DDRSDRAM=双倍速率同步动态随机存储器，人们习惯称为DDR，其中，SDRAM是SynchronousDynamicRandomAccessMemory的缩写，即同步动态随机存取存储器。而DDRSDRAM是DoubleDataRateSDRAM的缩写，是双倍速率同步动态随机存储器的意思。DDR内存是在SDR

 目录 前言一、SDRAM简介二、SDRAM的组成原理 2.1存储单元阵列2.1.1地址译码2.1.2存储电容2.2控制逻辑2.2.1时钟同步2.2.2命令解码2.2.3模式寄存器2.3数据输入/输出缓冲2.3.1数据总线2.3.2数据锁存2.4刷新电路2.4.1自动刷新2.4.2自刷新三、STM32与S

一.DDR3SDRAM1.基本介绍DDR3SDRAM英文全称“Double-Data-RateThreeSynchronousDynamicRandomAccessMemory”，译为“第三代双倍速率同步动态随机存取内存”或“同步动态随机存储器”，是动态随机存储器(DynamicRandomAccessMemory，简称DRAM)家族的一份子。同步、动

一、DDR3(L)SDRAM概述SMART’sDDR3(L)SDRAM组件与行业广泛兼容，并提供x8和x16配置。这些1.35v（DDR3L）和1.5V（DDR3）器件采用标准78和96引脚网格阵列封装，时钟速度为1866Mbps，密度为1Gb、2Gb和4Gb。宽/汽车工作范围器件也针对汽车AEC-Q1002类应用进行了测试和认证。DDR3(L)SDRAM

  个人觉得想要真正理解DDR，那就要从SDRAM入手，SDRAM读写控制器也可以作为入门FPGA的一个判断标准，说实话I2C、UART、SPI这些接口难度太低了，会写这些接口说明不了什么。  很常见的问题，现在DDR3、SDRAM、DDR4官方都有IP，还需要自己写SDRAM驱动吗？意义在哪？  如果是工程使用

EMMC/NAND：embeddedmultimediacard，ROM一般采用emmc和ufs，他们也是采用nandflash芯片，emmc和ufs一般只有一片或很少flashUFS：UniveralFlashStorage，可以视为emmc的进阶版，一般低端机用emmc，高端机用ufsSD卡：SecureDigitalMemoryCard/SDcard，SD存储卡的技术是从MMC卡格式上发展而

内容：SDRAM的操作和代码；DDR3的一些介绍（DDR3代码在其他地方）之前的笔记：存储器~Zynqbook第九章_zynq存储数据-CSDN博客SDRAM学习与实现串口传图_如何传输给sdram-CSDN博客Zynq上的存储器接口与差分时钟与DDR3_zynqddr3-CSDN博客DDR3笔记频率配置_ddr3在z系列芯片的设置-CSDN博

SDRAM控制器读写非数据流的情况：在某些情况下最后剩下的那一段数据无法达到单次Brust长度，此时应该仲裁决定是否继续读写。这个问题在DDR3需要通过填0去解决，因为预读量远不是一个级别，填零以后通过截断获得有效数据是好的做法。//WR_req  always@(posedgeSys_clkornege

Project:MOTOROLAX？？Software:CSTPCBSTUDIO (对电源完整性分析使用的是CSTPCBSTUDIO里的频域有限元法对电源平面进行建模)MentorHyperLynxPI说明:1:MTK帮我们分析电源完整性是采用的Sigrity(已被Cadence收购)。2:MTK做的电源完整性分析包括板级电源完整性和

一，前言openocd+stlink的vscode远程gdb调试环境搭建完成了，那么用吧，串口也不连接了。用自带的configs/stm32f429-discovery_defconfig进行的编译，然后就直接调试了。二，问题记录问题1：board_init_f进入fdt初始化就进入hang。答：因为fdt是分离的但是我并没有下载到某个地址，于是先配置为嵌

1.引脚初始化BSP_SDRAM_GPIO_InitvoidBSP_SDRAM_GPIO_Init(void){RCC_AHB1PeriphClockCmd(FMC_A0_GPIO_CLK,ENABLE);RCC_AHB1PeriphClockCmd(FMC_A1_GPIO_CLK,ENABLE);RCC_AHB1PeriphClockCmd(FMC_A2_GPIO_CLK,ENABLE);RCC_AHB1PeriphClockCmd(FMC_A3

SDRAM基本信息储存能力计算4X16X4=256（Mbit），注意不是MByteSDRAM控制sdram包含两个部分：sdram_ctrl、fifo_ctrl。sdram_ctrl：其顶层为SDRAM的控制模块内部实例化了5个模块，有初始化、自刷新、写和读模块，还有一个仲裁模块对这四个不同操作进行分配；fifo_ctrl：其顶层为SDRAM的数据

存储器按照掉电失去数据分为两类：易失性和非易失性。RAM：随机存取存储器（英语：RandomAccessMemory，缩写：RAM），也叫主存，是与CPU直接交换数据的内部存储器。它可以随时读写（刷新时除外），而且速度很快，通常作为操作系统或其他正在运行中的程序的临时数据存储介质。RAM工作时可以随时从任何一个

产品特性：•1路发送，1路接收；•光纤高速网络2.12GHz；•最大256个节点；•光纤协议不占用CPU资源；•多模光纤节点距离300米；单模光纤节点距离10千米；•板载128M/256MByteSDRAM；•低延迟率（n秒级）；•动态包长：每个包4到64或1M个字节。产品选型：1、CPCI接口-5565PIORC-110000(128MSDRAM多

IS46TR16256BL-125KBLA14GBitDDR3SDRAM提供紧凑型BGA-96封装的高速SDRAM。IS46TR16256BL具有256Mx16结构，电源电压为1.45V或1.3V，最大时钟频率为800MHz。该SDRAM具有8个内部银行并发操作和8nBit预取架构。IS46TR16256BL是电信和网络、汽车和工业嵌入式计算的理想选择。应用汽车；

高级硬件和PCB设计大师班2022–EsteemPCB高级硬件设计课程Part-1RK3399COB(LPDDR4SDRAM,WIFI/BT,EMMC,PMIC,260PinDDR4SystemonModule)课程英文名：AdvancedHardwareandPCBDesignMasterclass2022-EsteemPCB此视频教程共21.8GB，中英双语字幕，画质清晰无水印

文章目录0、前言1、目标2、图片的预处理3、SDNAND的预处理4、FPGA实现4.1、详细设计4.2、仿真4.3、实验结果·前言    在上一篇文章《基于FPGA的SD卡的数据读写实

平台:jz2440作者：庄泽彬(欢迎转载，请注明作者)说明：韦东山一期视频学习笔记简介:先来简单的说明一下这次的实验，看看下图，我们的程序通过烧录器下载到nandflash当中去，之后在启动

最近，有机会学习了明德扬SDRAM接口设计课程，将学习心得体会，用图文的形式简单地记录了下来。这个教程的学习让我受益匪浅，可以感受出来，明德扬老师是在认真做课程，点赞！

最近事情有些多，公众号没有坚持更新，大家见谅。前两天收到了华芯微特提供的一块开发板，今天抽时间测试了一下，感觉效果还不错，分享给大家。之前做了一个7寸触摸屏控制器的项目，用