一、读写信号线一般是两根(如无特殊说明)
二、如果DRAM采用复用技术，虽然地址线减半，但需要添加行片选线和列片选线
三、SRAM与DRAM
1、SRAM是六晶体管MOS(半导体材料)，DRAM是电容
2、SRAM依靠双稳态电路的两个稳定状态来分别存储0和1，DRAM依靠电容来存储信息
四、U盘采用Flash存储技术属于只读存储器
1、RAM: 随机存取存储器 ROM: 只读存储器
2、虽然U盘支持随机存取，但他属于ROM，是只读存储器
五、磁盘属于直接存储器(DAM)
根据定义，磁盘、光盘都属于直接存取存储器
六、BIOS的引导程序固化在ROM中，所以主存是由ROM和RAM共同组成的
七、低位交叉存储器
1、DRAM的破坏性读出与存取周期
由于DRAM是破坏性读出，因此DRAM芯片的恢复时间很长，有可能是存取时间的几倍 (SRAM恢复时间短)
DRAM芯片存取周期 = 存取时间+恢复时间
因此我们可以通过低位交叉编制来解决这个问题
2、低位交叉编制与位扩展的区别
位扩展的大小与总线宽度、存储单元大小相同，比如8个8192 x 8192 x 8位的芯片，若采用位扩展，扩展至64位则其数数据总线宽度也应该为64位，且其存储单元也为64位(即按8字节编址)，一次读入64位
而若采用低位交叉编制，则其数据总线宽度也应该为64位，不过存储单元是8位，一次读入8位
3、低位交叉存储器访存冲突问题
计算机使用4体交叉编址(默认为低位交叉)，存储器总线出现的主存地址序列为: 8000,8001,8002,8003,8004,8006
转化为模块序号即为： 0 1 2 3 0 2，则8002与8006冲突
冲突规则如下: 相邻四个访问地址对应的模块尚若重复出现即为冲突
八、高位交叉编址与字扩展的区别
我的总结如下
1、字扩展是相对于存储芯片内部而说的,多模块存储器说的是存储器，是比字扩展更大的概念
2、字扩展是一个相对独立的概念，多模块存储器每个模块之间有不同的地址、寄存器、电路，更灵活
3、字扩展是为了扩容，多模块存储在扩容的同时，能满足每个模块交叉编址，提高吞吐率
九、CPU与主存储器的连接原理
CPU读指令，通过地址线去访问存储器的MAR（地址寄存器）
MAR（地址寄存器）通过选通线去访问矩阵中的数据
矩阵需要通过数据线与MDR（数据寄存器）进⾏接发
十、磁盘存储器的最小读写单位是一个扇区
十一、磁盘阵列
RAID0: 无冗余无检验的磁盘阵列，只是提高了磁盘读写速率，无容错能力
RAID1: 镜像磁盘整列 (非常安全)
RAID2~RAID5: 全是与容错能力有关的
十二、CPU与主存/cache交换的单位为字，cache与主存交换的单位是块
十三、替换控制位
Cache页面置换的时候一般有 有效位、修改位、页面置换位这三种位
目前为止，一般来说回写法需要用到修改位，LRU页面置换策略会用到页面置换位