DRAM 代表动态随机存取存储器,其中数据以电荷的形式存储。 DRAM 中的每个存储单元都由晶体管和电容器组成。数据存储在电容器中。 DRAM 是易失性设备,因为电容器会因泄漏而失去电荷。因此,要将数据保存在DRAM中,必须定期刷新DRAM。
SRAM 是一种静态存储器,只要通电就会保持一个值。 SRAM 通常比 DRAM 快,因为它没有刷新周期。每个 SRAM 存储单元由 6 个晶体管组成(与由 1 个晶体管和 1 个电容器组成的 DRAM 存储单元不同)。因此,SRAM 的每个存储单元的成本更高。在使用方面,SRAM 用于高速缓存,因为速度更高,DRAM 用于 PC 中的主存储器,因为密度更高。
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