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MUR1100在DO-41封装里采用的1个芯片，其尺寸都是50MIL，是一款快恢复二极管。MUR1100的浪涌电流Ifsm为35A，漏电流(Ir)为10uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。MUR1100采用GPP硅芯片材质，里面有1颗芯片组成。MUR1100的电性参数是：正向电流(Io)为1A，反向耐压为1000V，正向电压(VF)为1.75V，反向恢复时间（trr）为75NS，其中有2条引线。
MUR1100参数描述
型号：MUR1100
封装：DO-41
特性：快恢复二极管
电性参数：1A 1000V
芯片材质：GPP硅芯片
正向电流(Io)：1A
芯片个数：1
正向电压(VF)：1.75V
芯片尺寸：50MIL
浪涌电流Ifsm：35A
漏电流(Ir)：10uA
反向恢复时间（trr）：75NS
工作温度：-55~+150℃
引线数量：2
MUR1100插件封装系列。它的本体长度为5.2mm，加引脚长度为56.0mm，宽度为2.7mm，高度为2.7mm，脚宽度为0.9mm。
以上就是关于MUR1100-ASEMI快恢复二极管MUR1100的详细介绍。ASEMI产品广泛应用于：开关电源、LED照明、集成电路、移动通讯、计算机、工业自动化控制设备、汽车电子以及液晶电视、IoT、智能家居、医疗仪器、 电磁炉等大小家电。
标签：mm,二极管,MUR1100,芯片,ASEMI,电流 From： https://www.cnblogs.com/qyx3868/p/16719561.html