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DHE1M在SOD-123封装里采用的1个芯片，其尺寸都是50MIL，是一款高效恢复二极管。DHE1M的浪涌电流Ifsm为30A，漏电流(Ir)为10uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。DHE1M采用GPP硅芯片材质，里面有1颗芯片组成。DHE1M的电性参数是：正向电流(Io)为1A，反向耐压为1000V，正向电压(VF)为1.7V，反向恢复时间（trr）为100NS，其中有2条引线。
DHE1M参数描述
型号：DHE1M
封装：SOD-123
特性：高效恢复二极管
电性参数：1A 1000V
芯片材质：GPP硅芯片
正向电流(Io)：1A
芯片个数：1
正向电压(VF)：1.7V
芯片尺寸：50MIL
浪涌电流Ifsm：30A
漏电流(Ir)：10uA
反向恢复时间（trr）：100NS
工作温度：-55~+150℃
引线数量：2
DHE1M贴片封装系列。它的本体长度为2.8mm，加引脚长度为3.7mm，宽度为1.8mm，高度为1.1mm，脚宽度为1.0mm。
以上就是关于DHE1M-ASEMI高效恢复二极管DHE1M的详细介绍。ASEMI产品广泛应用于：开关电源、LED照明、集成电路、移动通讯、计算机、工业自动化控制设备、汽车电子以及液晶电视、IoT、智能家居、医疗仪器、 电磁炉等大小家电。
标签：mm,二极管,芯片,DHE1M,ASEMI,电流 From： https://www.cnblogs.com/qyx3868/p/16650230.html