4.4-动态存储器的工作原理

SRAM存储单元的不足

1. 晶体管过多
2. 存储密度低
3. 功耗大

DRAM存储单元的基本结构

解决SRAM不足采取的方法：

去掉两个负载管：T3，T4

提升存储密度

降低功耗

降低成本

利用栅极分布电容缓存电荷

增加电路协同存储单元工作

DRAM存储单元的工作原理

1. 写操作

　　2. 读操作

　　3. 保持操作

由于没有负载管T3，T4，只能又三级电容C1，C2保持，所以保持时间很短，所以还有个独特的刷新操作

　　4. 刷新操作

刷新周期：两次刷新之间的时间间隔

双译码结构的DRAM刷新按行进行，需要知道DRAM芯片存储矩阵的行数

刷新地址：由刷新地址计数器给出

DERAM存储单元的刷新

假定刷新周期为2ms，DRAM内部128行，读写周期0.5us

　　1. 集中刷新：

集中刷新时是不能读取数据的，对于实时性要求较高的场景不适用

　　2. 分散刷新：

分块刷新，不能刷新过多会影响存储器的性能

　　3. 异步刷新：

将存储段分为128段，每一段15.5us

DRAM与SRAM的对比

其他结构的DRAM的存储单元

进一步提高存储密度