5.3.12I/O端口特性通用输入/输出特性除非特别说明，下表列出的参数是按照表9的条件测量得到。所有的I/O端口都是兼容CMOS和TTL。 1.FT=5V容忍。2.施密特触发器开关电平的迟滞电压。由综合评估得出，不在生产中测试。3.至少100mV。4.如果在相邻引脚有反向电流倒灌，则漏

主要特点带自供电功能，变压器无需辅助绕组具备快速启动功能启动时具有 Line BOP 功能集成 800V 高压功率 BJT±5% 恒流、恒压精度多模式原边控制方式工作无异音可调式线损补偿l 集成线电压和负载电压的恒流补偿集成完善的保护功能：   短路保护 (SLP) 

CRE6511KM是一款内置高压BJT功率开关管原边控制的5W开关电源芯片。CRE6511KM以较少的外围元器件、较低的系统成本设计出高性能的交直流转换开关电源。CRE6511KM提供了极为全面和性能优异的智能化保护功能，包括逐周期过流保护、软启动、芯片过温保护、输出过压保护功能、VDD

目录一、SMT32电源框图1、ADC电源与参考电压VDDA2、调压器供电电路VDD/1.8V3、备份域电路二、电源监控器1、上电复位与掉电复位（POR与PDR）2、可编程电压检测器PVD三、功耗模式1、睡眠模式2、停止模式3、待机模式        电源对电子设备的重要性不言而喻，它

怎么进行SIM卡电路设计呢？我来告诉你，今天我特别分享SIM卡接口功能及其电路设计相关注意事项。一、SIM卡接口功能描述Air700ECQ/Air700EAQ/Air700EMQ系列模组支持1路USIM接口，符合ETSI和IMT-2000规范，可自适应支持1.8V和3.3VUSIM卡。注意：因为超小超薄系列设计取向为尺寸超小，所以无

参考：https://www.eet-china.com/mp/a37555.html参考：https://ee.ofweek.com/2018-12/ART-8900-2801-30291388.htmlS级/源级/SourceG级/栅极/GridD级/漏级/DropNMOSPMOS对比NMOS靠近GND，PMOS靠近VCC测量二极管的类型万用表调节至二极管档红表笔接D，黑表笔接S，如低于0.7V，则

CR6863B是一款高集成度、低待机功耗的CCM+PFM混合电流模式PWM控制器。CR6863B轻载时会降低频率，最低频率22kHz可避免音频噪声。CR6863B提供了完整的保护功能，如cycle-by-cycle电流限制、OCP、OTP、VDD_OVP、UVLO等。软启动功能可以减少系统启动时MOSFET的

SC2569结合了高度集成的电流模式PWM控制IC优化为高性能好，待机功耗低，成本低有效的脱机反激变换器应用。PWM正常工作时的开关频率为外部可编程和修剪到紧的范围内。在空载或轻载情况下，IC操作扩展的“突发模式”以最小化开关损耗。待机功率低，待机功率高这样就实现了转

在LPDDR4之后，引入了LPDDR4x，其IO电压比LPDDR4低45%，从1.1V至0.6V。整体功耗的降低带来了满足信号和电源完整性要求的多重挑战。LPDDR4xDRAM的传统SI问题主要包括串扰噪声、反射噪声和损耗效应。串扰噪声主要来源于紧密间隔的互连信号之间的相互耦合而产生的NEXT和FEXT。弯曲、

SRAM的WriteAssist与ReadAssist简介随着工艺节点的不断提升，诸如阈值电压的偏差，以及供电电压的减小，寄生电阻电容的影响等，都会越来越影响SRAM的稳定性。因此需要通过writeAssist和ReadAssist方法来提升SRAM的写入能力，可读性以及稳定性。具体来说，以一个典型的6TSRAM结构为例：

何为高低电平？高电平电压(highlevelvoltage)，输出的电压值相对较高低电平电压(lowlevelvoltage)，输出的电压值相对较低高低电平的电压具体值是多少需要参考数据手册，举个例子，如下表所示，VDD的典型值是3.3V，根据数据手册可以知道低电平下GPIO输出的最大电压是0.4V；高电平下GPIO输

 二、详细介绍VBAT：备份区供电电压，1.65V≤VBAT≤3.6V。 此引脚主要为以下模块供电：1.    RTC实时时钟2.    外部低速时钟振荡器3.    备份寄存器和备份SRAM 为了在VDD断电后(系统断电，设备断电等)保留备份寄存器的内容，可以将VBAT引脚连接到电池或其他

VCC、VDD、VEE、VSS区别版本一简单说来，可以这样理解：一、解释VCC：C=circuit表示电路的意思,即接入电路的电压；VDD：D=device表示器件的意思,即器件内部的工作电压；VSS：S=series表示公共连接的意思，通常指电路公共接地端电压；VEE：负电压供电；VPP：编程/擦除电压。二、说明1、对

6.1实验内容通过本实验主要学习以下内容：PMU原理；低功耗的进入以及退出操作；6.2实验原理6.2.1PMU结构原理PMU即电源管理单元，其内部结构下图所示，由该图可知，GD32F303系列MCU具有三个电源域，包括VDD/VDDA电源域、1.2V电源域以及电池备份域，其中，VDD/VDDA域由电源直接供电。在

产品描述AP5193是一款PWM工作模式,高效率、外围简单、内置功率MOS管，适用于4.5-100V输入的高精度降压LED恒流驱动芯片。最大电流2.5A。AP5193可实现线性调光和PWM调光，线性调光脚有效电压范围0.55-2.6V.AP5193工作频率可以通过RT外部电阻编程来设定，同时内置抖频电路，可以降低对

产品描述AP5191是一款PWM工作模式,高效率、外围简单、内置功率MOS管，适用于4.5-150V输入的高精度降压LED恒流驱动芯片。输出最大功率150W，最大电流6A。AP5191可实现线性调光和PWM调光，线性调光脚有效电压范围0.55-2.6V.AP5191工作频率可以通过RT外部电阻编程来设定，同时内置抖频

差动工作方式与单端输出比较优势在于：不易受环境噪声影响，以及高的电源噪声抑制能力如何提高PSRR1.密勒补偿改为cascode补偿。对一般的miller补偿，miller电容在交流下‘短接’，从而使第二级的共源放大管在ac下漏源短接（diode连接），考虑到其偏置电流不变，这样电源上的电压直接耦合到漏端

220V直降9V1A非隔离恒压WT5110WT5110是一款高性能的原边控制器，主要适用于充电器和适配器的制造，其能够提供高精度的输出性能。该芯片具备多种工作模式，包括调幅控制和调频控制，这有助于提高系统的效率和可靠性。在恒流输出模式下，WT5110采用调频控制方式，并且集成了线电压和负载电

这份文件是德州仪器（TexasInstruments）关于TPS380x系列超小型供电电压监控器的产品数据手册。以下是文件的核心内容概要：产品系列：TPS380x系列包括TPS3800-xx、TPS3801-xx和TPS3802-xx，这些是用于电路初始化和定时监督的监控电路，主要针对DSP和其他基于时间的处理器系统。主

 首先：输出端为带电容那端。采用电容来模拟输出负载的原因：1.MOS的输出后面还会接其他MOS管的栅极，栅极和源、漏之间为直流开路状态。                           2.栅极和源、漏以及沟道之间类似于一个电容的结构。 

一、产品概述PR6214是一款应用于小功率AC/DC充电器和电源适配器的高性能离线式功率开关转换器。PR6214采用PFM工作模式，使用原边反馈架构，无需次级反馈电路，因此省去了光耦和431，应用电路简单，降低了系统的成本和体积，提高了可靠性。芯片内置了高达±5%精度的恒流/恒压（CC/CV）控制电路，输出

一、基本概述TX6410是一种带PWM调光功能的线性降压LED恒流驱动器，仅需外接一个电阻就可以构成一个完整的LED恒流驱动电路，调节该外接电阻可调节输出电流，输出电流范围为10~2000mA。内置30V50毫欧MOS。内置过热保护功能，可有效保护芯片，避免因过热而造成损坏。具有很低的静态