编辑-Z单向可控硅BT151参数：型号：BT151存储接点温度范围Tstg：-40~150℃工作接点温度范围Tj：-40~125℃断态重复峰值电压VDRM：650V重复峰值反向电压VRRM：650VRMS导通电流IT(RMS)：12A非重复浪涌峰值导通电流ITSM：120A峰值栅极电流IGM：2A平均栅极功耗PG(AV)：0.5W峰值栅极功率PGM：5WIGT：4mAVGT：0.75VV

编辑-Z单向可控硅BT151参数：型号：BT151存储接点温度范围Tstg：-40~150℃工作接点温度范围Tj：-40~125℃断态重复峰值电压VDRM：650V重复峰值反向电压VRRM：650VRMS导通电流IT(RMS)：12A非重复浪涌峰值导通电流ITSM：120A峰值栅极电流IGM：2A平均栅极功耗PG(AV)：0.5W峰值栅极功率PGM：5WIG

编辑：llBT151-ASEMI单向可控硅BT151参数、尺寸、规格型号：BT151品牌：ASEMI封装：TO-252正向电流：12A反向电压：650V引脚数量：3芯片个数：1芯片尺寸：漏电流：>10ua恢复时间： 浪涌电流：30A包装方式：盘装封装尺寸：如图特性：单向可控硅工作结温：-40℃~125℃BT151的电性参数：正向电流12A；反向电压650V

编辑：llBT151-ASEMI单向可控硅BT151参数、尺寸、规格型号：BT151品牌：ASEMI封装：TO-252正向电流：12A反向电压：650V引脚数量：3芯片个数：1芯片尺寸：漏电流：>10ua恢复时间：浪涌电流：30A包装方式：盘装封装尺寸：如图特性：单向可控硅工作结温：-40℃~125℃BT151的电性参数：正向电流12A；反向