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单向可控硅BT151参数：
型号：BT151
存储接点温度范围Tstg：-40~150℃
工作接点温度范围Tj：-40~125℃
断态重复峰值电压VDRM：650V
重复峰值反向电压VRRM：650V
RMS导通电流IT(RMS)：12A
非重复浪涌峰值导通电流ITSM：120A
峰值栅极电流IGM：2A
平均栅极功耗PG(AV)：0.5W
峰值栅极功率PGM：5W
IGT：4mA
VGT：0.75V
VTM：1.75V
BT151封装体积：
封装：TO-252
总长度：10.4mm
本体长度：6.3mm
宽度：6.8mm
高度：2.4mm
脚间距：4.77mm
BT151说明：
BT151系列可控硅整流器具有很高的承受大电流冲击负载的能力，提供了高dv/dt速率和较强的抗电磁干扰能力。特别推荐用于固态继电器、摩托车、充电器、T型工具等。
标签：封装,mm,栅极,峰值,BT151,可控硅,ASEMI From： https://blog.51cto.com/u_15615622/6372899