MOS管关键参数1、开关速度：（T=Ton+Toff）Ton=Td-on+Tr；（开通时间=延迟时间+开通上升时间）Toff=Td-on+Toff；（关断时间=延迟时间+关断下降时间）频率：f=1/（Ton+Toff）2、寄生电容ESCCiss：Ciss=Cgs+Cgd；Coss：Coss=Cgd+Cds；Crss：Crss=Cgd；如上图，GS

        本文你将了解到米勒效应现象、不同角度看到的米勒效应原因、米勒振荡与抑制措施，预计阅读时间3min。1 米勒效应现象描述        MOSFET导通前，Vd>Vg，MOSFET导通后，Vg>Vd，在MOSFET导通过程中，Cgd放电并反向充电，期间Vgs基本维持不变，Cgd反向充电完成后，Vgs

MOSFET结构和特性MOSFET的结构如下：MOSFET的等效电路图如下：为什么MOSFET的等效电路图中包括了电容？MOSFET的栅极和漏极、源极之间通过一层薄氧化物如SiO2隔离，但这层绝缘层非常薄，尤其是栅极和源极之间，通常小于一微米厚，以埃为单位测量。这意味着栅极和源极、漏极之间存在相当大

MOSFET的开关速度有限，一来受到电容充放电速度的限制，MOSFET的开关速度本身受限；二来因为误导通问题，MOSFET的开关速度不能做太高，否则容易误导通。MOSFET结构和特性MOSFET的结构如下：MOSFET的等效电路图如下：为什么MOSFET的等效电路图中包括了电容？MOSFET的栅极和漏极、源极之间通