/前言/功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率，降低系统成本，并保证系统的可靠性。功率器件热设计基础系列文章会比较系统地讲解热设计基础知识，相关标准和工程测量方法。热容热容Ct

/前言/功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率，降低系统成本，并保证系统的可靠性。功率器件热设计基础系列文章将比较系统地讲解热设计基础知识，相关标准和工程测量方法。第一讲《功

/前言/功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率，降低系统成本，并保证系统的可靠性。功率器件热设计基础系列文章会比较系统地讲解热设计基础知识，相关标准和工程测量方法。散热功率半

 

SigrityPowerDCPackageThermalCharacterization模式提取封装基板热阻参数-Single-DiePackageDELPHIcompactThermalModelSigrityPowerDCPackageThermalCharacterization模式是用于提取封装基板的热阻参数的，下面根据JEDECSingle-DiePackageDELPHIcompactTh

SigrityPowerDCPackageThermalCharacterization模式提取封装基板热阻参数-Multi-DiePackageThermalParameterSigrityPowerDCPackageThermalCharacterization模式是用于提取封装基板的热阻参数的，下面根据JEDECMulti-DiePackageThermalParameter标准介绍如何

 

【由于网站编辑问题，文章中存在些许缩写及角标问题，还请大家见谅！如稍微介意，可转战我们的公众号阅读哦！（文章下方扫码关注）】        上一期我们学习了MOSFET RDS_ON的特性以及测试条件，就今天我们来看一下MOSFET另外两个重要的技术参数，热阻以及ID。        为何将