STM32嵌入式（二）

标签：高电平 原理图 总线 嵌入式 STM32 指令 寄存器 输入

第一节：MDK软件基本用法

大部分标签都有调试模式和普通模式的区别。

1.file：

2.edit：撤销，恢复，剪切，复制...

3.view：各种视图的显示和隐藏

4.project：项目管理相关

文件名带有*，表示文件已经修改但是没有保存。

第二节：STM32的固件库

打开参考手册：@STM32RBT6开发板提前下载包\DataSheet\STM32\STM32F10x中文参考手册.pdf

对设备功能的配置，底层就是对寄存器的配置。

8为单片机，全部都是使用寄存器进行配置，对开发人员要求比较高。

现在使用固件库，函数里面调用的寄存器进行配置。

官方固件库：

CMSIS（cortex microcontroller software interface standard）,软件标准。

1.st公司LOGO文件

2.LIbraries :函数库文件。

3.project:示例工程和模板。

4.utilites:

5.stm32f10x_stdperiph_lib_um:帮助手册

第三节：内核结构与程序设计方法

经典系列：

ARM7：1994，32位处理器，三级流水线，冯诺依曼结构，

ARM9：1998年，哈佛结构，五级流水线，高性能低功耗，主要用于嵌入式产品。

ARM10：2000年，综合处理器，处理JAVA应用系统，6级流水线，主频325M，哈佛结构。

ARM11：2004年，新一代RISC精简指令集处理器，消费类电子。

CORTEX系列：

R：实时处理器，

A:应用处理器。手机芯片，处理数据量大，性能高。

M：微控制处理器，消费电子，性能要求中等。

架构、内核、MCU三者是什么关系？

盖房子：房子建筑风格，就是架构。加一个卫生间，浴室，游戏区，相当于内核，根据内核和设计风格，图纸，把房子盖起来，你得到房子就是MCU。

M3特点：

1.采用哈佛结构，32位指令集，和数据总线，寻址空间4G，存储器和寄存器都是32位。

哈佛结构：指令和数据分开存储，

冯诺依曼结构：指令和数据存储在一起。

总线：通用通讯的干线；

          地址总线：处理数据之前先找地址，内核通过地址总线寻找数据的位置。

          数据总线：读写数据。

          控制总线：进行指令收发工作。

4G寻址空间：2^32刚好是4G。

指令处理方式：顺序方式、重叠方式、流水线

顺序方式：从前往后依次执行。

重叠结构：执行某条指令的时候，同时执行其他某个指令。

流水线结构：

指令集：精简指令集RSIC  ，复杂指令集CISC

精简指令集：减少指令的总数，简化指令的功能，降低硬件的设计难度，是的指令能够单周期运行。单片机。

复杂指令集：增强原有的指令的功能，使用负责的新指令代替原先子程序的功能。x64 。

系统结构：

ICODE总线：总线传输指令的。代码是放在闪存flash，内核要读取指令，必须通过ICODE总线。

DCODE总线：数据总线，数据常量，变量存储到SRAM区域，数据可以通过改宗宪进行访问。

system总线：系统总线主要用于访问外设的寄存器，完成外设的寄存器编译。

总线矩阵：协调内核系统总线和DMA控制新总线之间访问仲裁。

DMA总线：大批量传送数据。

内部闪存FLASH：存储编写号的代码。

内部SRAM：相当内存·1条。

FSMC：（灵活的静态存储控制器Flexible static memory control）,扩展内存。

AHB到APB桥：链接所有的外部设备。

      APB1：USB、DAC,PWR,IIC,TIM,USART,SPI,IWDG,CAN

     APB2：ADC1/2/3,GPIOA/B/C/D/E/F/G

第四节：STM32程序设计方法：

1.粗看硬件，确认有没有硬件模块去支持你的开发需求。《点亮LED》

2.细看原理图，路径；@@STM32RBT6开发板提前下载包\开发板原理图\Periph外围器件原理图和MCU最小系统原理图

外围器件原理图：找到模块的实现原理，管脚定义。然后打开最小系统原理图，找链接的管脚。

3.分析控制原理。得知，高电平，LED点亮，低电平，熄灭。

4.了解GPIO的控制模式配置？

GPIO配置：

1.一共7组。每一组有16个I/O。根据芯片实际情况使用I/O。

2.I/O（gernral purpose input/output port）通用输入输出端口。输入或输出数据。

模式8种：

输入：输入浮空（模拟信号的读取，读取高低电平不确定的信号）、输入上拉（默认管脚时高电平的场合）、输入下拉、模拟输入（模拟信号的读取）

输出：开漏输出（电平转换和线与功能）、推挽式输出（大功率驱动）、推挽式复用功能、开漏复用功能

结构框图：

数据输出：

VDD：正电源（+5V +3.3V）

VSS：负电源（0V  -2V）

保护二极管：主要用于面对高电压和过电流的时候，保护芯片。如果电压过高，高电压会通过上面的二极管，流向VDD，如果低电压，通过下面二极管，VSS流向外部。

P-Mos:当给与高电平是，PMOS导通，VDD通过MOS将高电平信号输出到IO口。NMOS导通时，I/O输出低电平。

输出数据寄存器：控制IO口电平状态，写1，高电平，写0低电平。同时BSRR端口位设置/清零寄存器可以通过影响ODR（输出数据寄存器），来简介设置IO口电平状态。

数据输入：

模拟输入：上拉和下拉电阻，不接入电路，此时信号经过内部导线，直接连到内部模拟信号外设中使用。

施密特触发器：整定波形，变成规范的数字信号。

输入数据寄存器：用于存储对应IO口的状态，高电平为1，低电平为0；

输入内部外设使用：

使用GPIO要提前开启时钟：

输入数据寄存器(GPIOx_IDR)在每个APB2时钟周期捕捉I/O引脚上的数据。

标签：高电平,原理图,总线,嵌入式,STM32,指令,寄存器,输入
From： https://blog.csdn.net/weixin_67660500/article/details/141688863