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高性能LDO电路设计,有配套文档

时间:2024-07-02 22:02:41浏览次数:17  
标签:仿真 LDO dB 配套 电路设计 增益 文档

内容:
1、电路文件(有仿真状态)和PDK(TSMC180)
2、配套仿真结果文档讲解6页
3、参考资料三篇


指标:
LDO
温度系数1.09ppm
LDO 环路增益在 64.3dB,相位裕度在 66°,系统稳定。
LDO 最大输出电流可以达到 50mA,负载调整率计算为40.4uV/mA
输出电压为 2.5V 时,线性调整率为3.5mV/V
电源抑制比PSRR=56.2dB
功耗 132uA

BG:ppm1.19
EA(折叠):增益60dB,带宽10MHz

标签:仿真,LDO,dB,配套,电路设计,增益,文档
From: https://blog.csdn.net/chaonanya/article/details/140110101

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