首页 > 其他分享 >MUR3060AC-ASEMI快恢复二极管MUR3060AC

MUR3060AC-ASEMI快恢复二极管MUR3060AC

时间:2024-04-11 11:02:38浏览次数:26  
标签:恢复 二极管 MUR3060AC 电压 正向 ASEMI

编辑:ll

MUR3060AC-ASEMI快恢复二极管MUR3060AC

型号:MUR3060AC

品牌:ASEMI

封装:TO-220AC

最大平均正向电流(IF):30A

最大循环峰值反向电压(VRRM):600V

最大正向电压(VF):1.50V

工作温度:-55°C~150°C

反向恢复时间:35ns

芯片个数:1

芯片尺寸:72mil

正向浪涌电流(IFMS):200A

MUR3060AC特性:

恢复时间短

性能稳定

正向压降低

参数一致

MUR3060AC应用领域:

电源开关

变频器

驱动器等电路

作高频、低压、大电整流二极管

续流二极管

保护二极管使用

 

标签:恢复,二极管,MUR3060AC,电压,正向,ASEMI
From: https://www.cnblogs.com/asemi99/p/18128389

相关文章

  • MUR1060D-ASEMI快恢复二极管MUR1060D
    编辑:llMUR1060D-ASEMI快恢复二极管MUR1060D型号:MUR1060D品牌:ASEMI封装:TO-252最大平均正向电流(IF):10A最大循环峰值反向电压(VRRM):600V最大正向电压(VF):1.30V工作温度:-55°C~150°C反向恢复时间:35ns芯片个数:1芯片尺寸:72mil引脚数量:4正向浪涌电流(IFMS):30A包装方式:50/管1000/......
  • MUR1040D-ASEMI快恢复二极管MUR1040D
    编辑:llMUR1040D-ASEMI快恢复二极管MUR1040D型号:MUR1040D品牌:ASEMI封装:TO-252最大平均正向电流(IF):10A最大循环峰值反向电压(VRRM):400V最大正向电压(VF):1.30V工作温度:-55°C~150°C反向恢复时间:35ns芯片个数:1芯片尺寸:72mil正向浪涌电流(IFMS):170AMUR1040D特性:恢复时间短性能......
  • 浪涌防护TVS二极管选型参数,结构原理,工艺与注意问题总结
      ......
  • 开关二极管选型参数,结构原理,工艺与注意问题总结
      ......
  • MBR4060DC-ASEMI肖特基二极管MBR4060DC
    编辑:llMBR4060DC-ASEMI肖特基二极管MBR4060DC型号:MBR4060DC品牌:ASEMI封装:TO-263最大平均正向电流(IF):40A最大循环峰值反向电压(VRRM):60V最大正向电压(VF):0.85V工作温度:-65°C~150°C反向恢复时间:ns重量:1.38克芯片个数:2芯片尺寸:130mil正向浪涌电流(IFMS):300AMBR4060DC特性:耐......
  • ESD保护二极管ESD9B3.3ST5G 以更小的空间实现强大的保护 车规级TVS二极管更给力
    什么是汽车级TVS二极管?TVS二极管是一种用于保护电子电路的电子元件。它主要用于电路中的过电压保护,防止电压过高而损坏其他部件。TVS二极管通常被称为“汽车级”是因为它们能够满足汽车电子系统的特殊要求。在汽车电子系统中,由于车辆启动、熄火、发动机工作等因素,会产生大量......
  • GBU3510-ASEMI开关电源整流桥GBU3510
    编辑:llGBU3510-ASEMI开关电源整流桥GBU3510型号:GBU3510品牌:ASEMI封装:GBU-4平均正向整流电流(Id):35A最大反向击穿电压(VRM):1000V产品引线数量:4产品内部芯片个数:4产品内部芯片尺寸:160MIL峰值正向漏电流:<10ua恢复时间:>2000ns正向浪涌电流:350A正向压降:1.05V恢复时间:工作结温......
  • GBU3010-ASEMI开关电源整流桥GBU3010
    编辑:llGBU3010-ASEMI开关电源整流桥GBU3010型号:GBU3010品牌:ASEMI封装:GBU-4特性:插件、整流桥平均正向整流电流(Id):30A最大反向击穿电压(VRM):1000V恢复时间:>2000ns最大RMS电压:引脚数量:4芯片个数:4最大正向压降:1.05V芯片尺寸:160MIL工作温度:-55℃~150℃正向浪涌电流:300A类型......
  • 【Ga2O3】反偏应力和质子辐照对氧化镓二极管的影响
    【APL】Synergisticeffectofelectricalbiasandprotonirradiationontheelectricalperformanceof β-Ga2O3 p–ndiode本研究探讨了电偏压和质子辐照对β-Ga2O3p-n二极管电气性能的协同影响。研究主要关注了这些影响对器件缺陷的作用,并通过实验研究了反向偏压应......
  • MB10S-ASEMI适配器专用mini整流桥MB10S
    编辑:llMB10S-ASEMI适配器专用mini整流桥MB10S型号:MB10S品牌:ASEMI封装:MBS-4正向电流(Id):1A反向耐压(VRRM):1000V正向浪涌电流:30A正向电压(VF):1.10V引脚数量:4芯片个数:4芯片尺寸:50MIL功率(Pd):中小功率设备工作温度:-55°C~150°C类型:贴片整流桥、整流桥MB10S整流桥描述:ASEMI......