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在使用CH32V208实现万年历功能时，有以下几点特性需要注意
①V208在跑BLE时，RTC分频默认配置为2分频约16K，无法配置为32768分频也就是1Hz。若配置为1Hz，TMOS系统的时钟会很慢，跑不起来。
②V208没有设计类似CH582的年/月/日寄存器，只有总计32位的RTC计数器。配合①中的特性，32位数在计满3天多一点点时就会溢出重新计数。
③跑BLE功能，要做低功耗的场景多。V208的HAL_SLEEP休眠是使用的“停止模式”的低功耗休眠，休眠期间HSI、HSE都停止工作，没有办法继续计数，只能依靠后备寄存器中的32K时钟源的RTC来保证万年历的持续计数。注意MCU的VBAT要一直保持供电，一旦彻底断电，RTC计数也不跑了，就需要重新校时。
④V208内部没有32K的负载电容，一定要在32K晶振附近预留电容焊盘。
在在实现万年历前，最好先校准32K的频偏；或者先跑跑EVT中的RTC例程(将分频调节为BLE一致的2分频)，获取当前硬件偏差以便后续调试代码造成的偏差。在有高精度的外部仪器校准的情况下，先选用高精度的外部仪器进行校准；没有外部设备时，V208的32M晶振物料一般建议选用精度更高的，可以用32M晶振去校准32K晶振的偏差。
V208的官方评估板的物料选择：
32K晶振：20ppm/12.5pf，建议外部焊接8~15pf的32K晶振负载电容。PCB板走线有不确定的数个pf的寄生电容，需要更准一些的话可以多换几组电容实测看看。
32M晶振：10ppm/12pf，V208内部有32M的负载电容可供微调。
压缩包中有RTC文件夹下的工程，可以打印出32K晶振相对于32M晶振的频偏ppm，可以作为外部负载电容调节效果的参考。
开篇链接中万年历代码的逻辑，主要是为了解决特性②即32位的RTC计数在BLE应用下计满3+天便会溢出重新计数的问题。如果32位数据都用来存放秒数，可以计数上百年，直接用作万年历未尝不可。
转变一下思路，可以在代码逻辑中计算并累加前后两次RTC计数的偏差值。如此即使n天后RTC计数溢出了x次，只要代码逻辑在不断执行，不断累加偏差，就可以一直计数万年历。什么时候执行逻辑，什么时候才会计算、累加偏差获取最新时间，所以会有一些计算造成的延迟。
V208的使用中也有如下特性顺水推舟：
①V208有40多个16位后备寄存器，其与RTC寄存器使用同样的VBAT电源。只要VBAT不掉电，后备寄存器中的数值就可以一直保存，不受各种复位影响，可以用作万年历计数的存储单元。如果VBAT也掉电了，后备寄存器数据丢了怎么办？VBAT掉电后RTC也无法工作，那么无论如何都是需要重新由外部输入来校准时间的。
②TMOS系统本身的时钟时以24h为单位循环的，是小于3+天的溢出周期的，且TMOS要求24h内必须留有一个TMOS事件来保持MCU的唤醒能力防止睡眠后没有途径能够唤醒MCU。也就是说可以直接使用TMOS事件安排万年历计数累加周期，将万年历计算的优先级安排到最低也可以将其作为TMOS系统24h内的保留事件来执行，确保其至少每天更新一次时间。
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