产品说明 AP9196 是一系列外围电路简洁的宽调光比升压调光恒流驱动器,适用于 3-40V 输入电压范围的 LED照明领域。 AP9196 采用我司专利算法,可以实现高精度的恒流效果,输出电流恒流精度≤±3%,电压工作范围为5-40V,可以轻松满足锂电池及中低压的应用需求,输出耐压仅由MOS 耐压决定。 芯片内部有本司专利的高精度恒流算法,确保 VIN的上电时间<500ms。 PWM 调光信号内部转模拟,调光全程无频闪,支持1K 以上的调光频率,调光比 100:1。当 EN/DIM 拉低到 GND 超过 40ms,芯片自动进入休眠模式以降低功耗,此时待机电流<2uA,当 EN/DIM 端口拉高以后芯片重新启动。EN/DIM 管脚不能悬空,不使用时应与VIN 管脚短接在一起。芯片的输出电流通过 IFB 端口电阻来设定。支持过温降电流和输出过压保护。 特性 ◆ 支持 100:1 调光比 ◆ 工作电压范围 5-40V ◆ 启动电压 2.7V ◆ 转换效率>95% ◆ 超低待机功耗<2uA ◆ 真正无频闪调光 ◆ 支持调光频率超过 32K ◆ 支持内部PWM 转模拟调光 ◆ 内置 40VLDO 供电 ◆ 恒流精度≤±3% ◆ 支持过温降电流 ◆ 支持输出过压保护 ◆ 封装:ESOP8 应用范围 ◆ 户外照明 ◆ 智能照明 ◆ 带锂电应用方案 ◆ 太阳能路灯 ◆ 补光灯 应用说明 本芯片是外围电路简洁的宽调光比升压恒流驱动器,适用于 2.7-40V 输入电压范围的升压恒流 LED 驱动领域。芯片采用本司专利的恒流控制算法,输出电流精度在±3%以内,可以做到 100:1 的无频闪调光。 芯片启动 系统上电后通过 VIN 管脚对芯片供电,其中 R1 为保护电阻,防止上电时浪涌电流损坏芯片,当 VIN 管脚<12V时 R1 可以不加,12V 以上请选择 10 欧姆的电阻。 芯片内部 40V LDO 供电,输入端应用范围宽,最低可以在 2.7V 的时候工作,轻松满足单节锂电池的应用,当输入电压低于 5V 时,建议VIN 管脚接到输出的LED+上面来供电。 调光设置 EN/DIM 端口为 PWM 调光口内部自动将 PWM 信号转为模拟信号实现全程无频闪调光。当芯片检测到EN/DIM端口低电平时间超过 40ms,芯片进入低功耗待机模式,此时芯片工作电流<2uA,当 EN/DIM 端口再次为高电平后芯片被唤醒,退出待机模式,恢复正常。 电容与续流二极管选择 贴片电容建议选用X5R、X7R 材质。 二极管应具有承受反向峰值电压的能力,建议选择反向额定电压大于 VIN 的二极管。为了提高效率,选择肖特基二极管(平均电流大于输入与电感峰值电流,耐压大于输出电压的 1.5 倍)。 VDD旁路电容 VDD 管脚需要并联一个 1.0uF 以上的旁路电容,电容的大小选择和驱动 MOS 的大小有关系,MOS 越大, 需要的旁路电容也越大。PCB 布板时,VDD 电容需要紧挨着端口布局。 PCB设计注意事项 一个好的 PCB 设计能够最大程度地提高系统的稳定性、终端产品的量产良率。为了提高 AP9196 系列 PCB 的设计水准,请尽可能遵循以下布局布线规则: 1. 芯片D 端或MOSFETDrain 端与续流二极管、功率电感的布线覆铜尽可能长度短、线宽大; 2. MOSFET Source 端与CS 检流电阻的布线覆铜,CS 检流电阻靠近CS 与 GND 管脚; 3. 芯片IFB 管脚要远离功率电感、NMOS 管、续流二极管,避免受到干扰; 4. 输入电容、输出电容与 CS 检流电阻、IFB 采样电阻的地布线覆铜,都应尽可能长度短、线宽大,上下层地多打过孔连接; 5. 系统的输入电容尽可能靠近芯片布局,保证输入电容达到最好的滤波效果; 6. 芯片的 VDD 电容靠近 VDD 与 GND 管脚布局,且 VDD 电容的 GND 端、芯片 GND 管脚与 CS 检流电阻、IFB采样电阻GND 端保持单点连接; 7. 输出电容的地一定要靠近 CS 检流电阻、IFB 采样电阻的地,可以降低开关切换尖冲和输出高频噪声。 8. 输出过压保护电阻靠近OVP 与 GND 管脚布局;
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