- 存储器分类
- 按存储介质分类
- 半导体存储器 TTL、MOS 易失
- 磁表面存储器 磁头、磁载体
- 磁芯存储器 硬磁材料、环状元件
- 光盘存储器
- 半导体存储器 TTL、MOS 易失
- 按存取方式
- 存取时间与物理地址无关（随机访问）
- 随机存储器 RAM
- 只读存储器 ROM
- 随机存储器 RAM
- 存取时间与物理地址无关 （串行访问）
- 顺序存取存储器 磁带
- 直接存取存储器 磁盘
- 顺序存取存储器 磁带
- 存取时间与物理地址无关（随机访问）
- 按在计算机中的作用
- 按存储介质分类
- 存储器的层次结构
- 缓存与主存为解决速度问题，主存和辅存为了解决容量问题
- 主存储器
- 基本组成
- MDR 主存随机寄存器 MAR 主存地址寄存器
- MDR 主存随机寄存器 MAR 主存地址寄存器
- 与CPU的联系
- 存储单元地址分配
- 两个十六进制数就是一个字节
- 两个十六进制数就是一个字节
- 主存技术指标
- 存储容量 存放二进制代码的总位数
- 存储速度
- 存取时间
- 存取周期 连续两次独立的存储器操作所需的最小间隔时间
- 存取时间
- 存储容量 存放二进制代码的总位数
- 主存储器——半导体芯片简介
- 地址线单向 数据线双向
片选线 CS、CE（上面有横，表示低电平有效），可以让某些芯片同时工作
读写控制线
- 半导体存储芯片的译码驱动方式
- 对容量大的芯片不合适，有一个译码器译码
- 主存储器——随机存取存储器（重要）
- 静态RAM
- 保存0和1的原理：利用双稳态触发器
- 保存0和1的原理：利用双稳态触发器
- 动态RAM
- 保存0和1的原理：利用电容
- 单管动态RAM4116（16K*1）
- 动态RAM刷新以128\times128128×128128\times128128×128为例
- 刷新仅与行地址有关
- 集中刷新（存取周期为0.5微秒，此时称为死区）
- 分散刷新（存取周期为1微秒，无死区，但存取周期延长）
- 异步刷新（存取周期0.5微秒，每隔15.6微秒刷新一行）
- 刷新仅与行地址有关
- 保存0和1的原理：利用电容
- 只读存储器（ROM）
- MROM
- 厂家直接编写，用户不能改变
- 行列交叉处有MOS管为“1”
- 厂家直接编写，用户不能改变
- EPROM（多次性编程）
- 紫外线全部檫洗
- 紫外线全部檫洗
- MROM
- 静态RAM
