Mainstream Low Power techniques
- Low Vth - 阈值电压比较低,翻转时间小,漏电流比较大,功耗大,速度快
- High Vth - 阈值电压比较高,翻转时间长,漏电流比较小,功耗小,速度慢
- 使用多阈值的器件,处于关键路径上的器件使用Low Vth,不在关键路径上的使用High Vth
- 兼顾PPA
Advanced Low Power techniques
- 多电压域设计
- power gating - 对于某些不用的电压域可以关掉(shutdown)
- 寄存器,电压关掉之后,其中保持的数据会消失;设置Retention register,用于存储寄存器的状态,这个寄存器一直维持上电状态
Adoption of low power techniques
Power Gating(MTCMOS)
- VDD和logic连接的部分插入一个power switch(mos管),sleep enable = 1的时候,mos管关断,Logic没有供电,可以节省功耗,输出为Z(高阻态);如果将Z输入给其他模块会产生亚稳态,所以插入isolation模块,这个模块是为了关断之后,输出给其他模块输入没有影响的值
Power gating advantages
- 可以显著降低Leakage Power
Power gating costs
- 需要增加一些面积
- IR-drop - 掉电瞬间,其他模块不太稳定
- 控制信号需要插入buffer,不能掉电
- isolation 模块,隔离高阻态信号传给其他模块
- retention logic - 将掉电之前的状态值保存
- 验证复杂度增加
Multi-Voltages
- 不同电压域转换需要电压转换的模块
Multi-Votages advantages and disadvantages
DVFS(Dynamic Voltage and Frequency scaling)
- 动态调控电压和频率,可以根据场景,自适应的去调节电压和频率
Low power impact on Design flow
Why do we need UPF
- 对于ICG,可以在写RTL的时候进行代码风格规范
- 其他低功耗设计方法,可以通过UPF文件进行引入
- UPF就是用于描述低功耗设计的文件,在整个芯片设计周期中都存在
UPF & RTL
Power domain
Power supply
Power states table
- 不同模式的描述
Low lower design require special cells
Level shifter
- LS - 高电压域转到低电压域,低电压域转到高电压域
- “1”和“0” - 都是有一定范围的,1V - 传递到 1.6V-2V之间的高电压域,传递过来可能在当前的电源域表示0.需要设置Level_shifer
Isolation cell
- 对于掉电时钟域,需要设置Isolation cell进行隔离
Power switch
- 器件不进行翻转也会产生漏电
Retention Registers
- 掉电之前,将寄存器值存储到RR中,上电之后,回复之前的值